Development of transistors with negative-CTE gate electrode for introducing strained Si
Development of transistors with negative-CTE gate electrode for introducing strained Si
开发具有负 CTE 栅电极的晶体管以引入应变硅
批准号：
19K21953
负责人：
Kino Hisashi
金额：
$3.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
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会议论文
Generation of STDP With Non-Volatile Tunnel-FET Memory for Large-Scale and Low-Power Spiking Neural Networks
使用非易失性隧道 FET 存储器生成 STDP，用于大规模和低功耗尖峰神经网络
使用非易失性隧道 FET 存储器生成 STDP，用于大规模和低功耗尖峰神经网络
DOI：
10.1109/jeds.2020.3025336
发表时间：
2020
期刊：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
影响因子：
2.3
作者：
[Kino Hisashi, Fukushima Takafumi, Tanaka Tetsu]
通讯作者：
Tanaka Tetsu
DOI：
10.35848/1347-4065/ab6867
发表时间：
2020-02
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[H. Kino;T. Fukusima;Tetsu Tanaka]
通讯作者：
H. Kino;T. Fukusima;Tetsu Tanaka
Development of Non-Volatile Tunnel-FET Memory as a Synaptic Device for Low-Power Spiking Neural Networks
开发非易失性隧道 FET 存储器作为低功耗尖峰神经网络的突触器件
开发非易失性隧道 FET 存储器作为低功耗尖峰神经网络的突触器件
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山口 玲輔, Puneet Jain, 市川賀康, 元祐昌廣, Hisashi Kino]
通讯作者：
Hisashi Kino
Development of ultra-low power neural network chips using non-volatile tunnel FET memory
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批准号：20H02193
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2020
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负责人：Kino Hisashi
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依托单位：
海外基金
