Development of transistors with negative-CTE gate electrode for introducing strained Si

开发具有负 CTE 栅电极的晶体管以引入应变硅

• 批准号: 19K21953
• 负责人: Kino Hisashi
• 金额: $ 3.83万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-06-28 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K21953/
• 关键词: 負熱膨張; トランジスタ; 半導体; 負の熱膨張; 結晶歪み; 移動度

项目成果

Generation of STDP With Non-Volatile Tunnel-FET Memory for Large-Scale and Low-Power Spiking Neural Networks

使用非易失性隧道 FET 存储器生成 STDP，用于大规模和低功耗尖峰神经网络

• DOI: 10.1109/jeds.2020.3025336
• 发表时间: 2020
• 期刊: IEEE Journal of the Electron Devices Society
• 影响因子: 2.3
• 作者: Kino Hisashi;Fukushima Takafumi;Tanaka Tetsu
• 通讯作者: Tanaka Tetsu

Symmetric and asymmetric spike-timing-dependent plasticity function realized in a tunnel-field-effect-transistor-based charge-trapping memory

• DOI: 10.35848/1347-4065/ab6867
• 发表时间: 2020-02
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: H. Kino;T. Fukusima;Tetsu Tanaka

Development of Non-Volatile Tunnel-FET Memory as a Synaptic Device for Low-Power Spiking Neural Networks

开发非易失性隧道 FET 存储器作为低功耗尖峰神经网络的突触器件

• 发表时间: 2020
• 作者: 山口 玲輔;Puneet Jain;市川賀康;元祐昌廣;Hisashi Kino
• 通讯作者: Hisashi Kino