Development of ultra-low power neural network chips using non-volatile tunnel FET memory
Development of ultra-low power neural network chips using non-volatile tunnel FET memory
使用非易失性隧道FET存储器开发超低功耗神经网络芯片
批准号：
20H02193
负责人：
Kino Hisashi
金额：
$11.23万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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DOI：
10.35848/1882-0786/ac18b0
发表时间：
2021-08
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka]
通讯作者：
H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka
Development of Manganese Nitride Resistor with Near-Zero Temperature-Coefficient of Resistance to Achieve High-Thermal-Stability ICs
开发电阻温度系数接近零的氮化锰电阻器以实现高热稳定性 IC
开发电阻温度系数接近零的氮化锰电阻器以实现高热稳定性 IC
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sekiya Hiroo, Ma Jingyue, Nguyen Kien, Wei Xiuqin, 山田寛喜，羽澤帆乃佳，森浩樹, Hisashi Kino]
通讯作者：
Hisashi Kino
Enhancement of carrier mobility in metal-oxide semiconductor field-effect transistors using negative thermal expansion gate electrodes
使用负热膨胀栅电极增强金属氧化物半导体场效应晶体管中的载流子迁移率
使用负热膨胀栅电极增强金属氧化物半导体场效应晶体管中的载流子迁移率
DOI：
10.35848/1882-0786/ac9d24
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Kino Hisashi, Fukushima Takafumi, Tanaka Tetsu]
通讯作者：
Tanaka Tetsu
Negative-Thermal-Expansion Gate Electrode to Introduce Tensile Strain into the Channel of MOSFETs for Mobility Enhancement
负热膨胀栅电极将拉伸应变引入 MOSFET 沟道以增强迁移率
负热膨胀栅电极将拉伸应变引入 MOSFET 沟道以增强迁移率
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hisashi Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka]
通讯作者：
Tetsu Tanaka
DOI：
10.1116/6.0001836
发表时间：
2022-09
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology B
影响因子：
--
作者：
[Y. Miwa;H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka]
通讯作者：
Y. Miwa;H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka
共 6 条
Development of transistors with negative-CTE gate electrode for introducing strained Si
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批准号：19K21953
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$3.83万
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财政年份：2019
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负责人：Kino Hisashi
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依托单位：
海外基金