Development of ultra-low power neural network chips using non-volatile tunnel FET memory

使用非易失性隧道FET存储器开发超低功耗神经网络芯片

• 批准号: 20H02193
• 负责人: Kino Hisashi
• 金额: $ 11.23万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02193/
• 关键词: スパイキングニューラルネットワーク; トンネルFET; 不揮発性メモリ; STDP; SNN; ニューラルネットワーク; 半導体メモリ

项目成果

High-thermal-stability resistor formed from manganese nitride compound that exhibits the saturation state of the mean free path

• DOI: 10.35848/1882-0786/ac18b0
• 发表时间: 2021-08
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka

Development of Manganese Nitride Resistor with Near-Zero Temperature-Coefficient of Resistance to Achieve High-Thermal-Stability ICs

开发电阻温度系数接近零的氮化锰电阻器以实现高热稳定性 IC

• 发表时间: 2021
• 作者: Sekiya Hiroo;Ma Jingyue;Nguyen Kien;Wei Xiuqin;山田寛喜，羽澤帆乃佳，森浩樹;Hisashi Kino
• 通讯作者: Hisashi Kino

Enhancement of carrier mobility in metal-oxide semiconductor field-effect transistors using negative thermal expansion gate electrodes

使用负热膨胀栅电极增强金属氧化物半导体场效应晶体管中的载流子迁移率

• DOI: 10.35848/1882-0786/ac9d24
• 发表时间: 2022
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Kino Hisashi;Fukushima Takafumi;Tanaka Tetsu
• 通讯作者: Tanaka Tetsu

Negative-Thermal-Expansion Gate Electrode to Introduce Tensile Strain into the Channel of MOSFETs for Mobility Enhancement

负热膨胀栅电极将拉伸应变引入 MOSFET 沟道以增强迁移率

• 发表时间: 2023
• 作者: Hisashi Kino;Takafumi Fukushima;Tetsu Tanaka
• 通讯作者: Tetsu Tanaka

Electrochemical characterization of ZnO-based transparent materials as recording electrodes for neural probes in optogenetics

• DOI: 10.1116/6.0001836
• 发表时间: 2022-09
• 期刊: Journal of Vacuum Science & Technology B
• 作者: Y. Miwa;H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka