Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting

展示新型二维材料在能量收集方面的压电特性

基本信息

  • 批准号:
    19K21956
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-06-28 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(35)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Influence of interface dipole layers on the performance of graphene field effect transistors
  • DOI:
    10.1016/j.carbon.2019.06.038
  • 发表时间:
    2019-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.9
  • 作者:
    N. Nagamura;H. Fukidome;K. Nagashio;K. Horiba;T. Ide;K. Funakubo;K. Tashima;A. Toriumi;M. Suemitsu;K. Horn;M. Oshima
  • 通讯作者:
    N. Nagamura;H. Fukidome;K. Nagashio;K. Horiba;T. Ide;K. Funakubo;K. Tashima;A. Toriumi;M. Suemitsu;K. Horn;M. Oshima
"2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御",
“二维层状异质 FET 中的界面特性控制”,
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    . S. Egawa;H. Motoyama;G. Yamaguchi;S. Owada;Y. Kubota;Y. Matsuzawa;T. Kume;M. Yabashi; H. Mimura;長汐晃輔,;長汐晃輔,
  • 通讯作者:
    長汐晃輔,
Uniform and ultrathin high-κ gate dielectrics for two-dimensional electronic devices
用于二维电子器件的均匀超薄高π栅极电介质
  • DOI:
    10.1038/s41928-019-0334-y
  • 发表时间:
    2019-12-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    34.3
  • 作者:
    Li, Weisheng;Zhou, Jian;Wang, Xinran
  • 通讯作者:
    Wang, Xinran
National Chiao Tung University(その他の国・地域)
国立交通大学(其他国家/地区)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
"2次元層状SnSの圧電・強誘電特性",
“二维层状 SnS 的压电和铁电特性”,
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    毛利柊太郎,伊藤旺成,伊藤駿佑,山口豪太;三村秀和;長汐 晃輔,;三村秀和;長汐 晃輔,
  • 通讯作者:
    長汐 晃輔,
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Nagashio Kosuke其他文献

金属電極とのバリアハイトを考慮した極薄h-BNの絶縁性評価
考虑势垒高度的金属电极超薄h-BN绝缘评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori;Y. Hattori;服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔
  • 通讯作者:
    服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔
電子線ホログラフィーによる機能性材料の応用解析
利用电子束全息技术对功能材料进行应用分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sato Yuichiro;Nishimura Tomonori;Duanfei Dong;Ueno Keiji;Shinokita Keisuke;Matsuda Kazunari;Nagashio Kosuke;N. Murakami;山本和生
  • 通讯作者:
    山本和生
Layered materials for electronics
电子器件用层状材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori
  • 通讯作者:
    Y. Hattori
ドデカボレート-グルコース複合体の合成とホウ中性子補足療法への応用
十二硼酸-葡萄糖络合物的合成及其在硼中子补充治疗中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Maruyama Mina;Nagashio Kosuke;Okada Susumu;桑田淳司・山神将大・森原 聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口 豊・田嶋智之
  • 通讯作者:
    桑田淳司・山神将大・森原 聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口 豊・田嶋智之
福徳岡ノ場2021年噴火による軽石の漂着時期・漂着量・粒径分布
2021 年福德冈场喷发的浮石的时间、数量和粒度分布
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ogura Hiroto;Kawasaki Seiya;Liu Zheng;Endo Takahiko;Maruyama Mina;Gao Yanlin;Nakanishi Yusuke;Lim Hong En;Yanagi Kazuhiro;Irisawa Toshifumi;Ueno Keiji;Okada Susumu;Nagashio Kosuke;Miyata Yasumitsu;平峰玲緒奈,石村大輔,青木かおり,鈴木毅彦,早田勉,渡辺樹,山田素子,市原季彦,山田圭太郎
  • 通讯作者:
    平峰玲緒奈,石村大輔,青木かおり,鈴木毅彦,早田勉,渡辺樹,山田素子,市原季彦,山田圭太郎

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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor
使用 Cu 蒸气在 h-BN 上直接生长石墨烯
  • 批准号:
    16K14446
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Universal gate stack for 2D layered channel
适用于 2D 分层沟道的通用栅极堆叠
  • 批准号:
    16H04343
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors
石墨烯基热电子晶体管电流增益的改进
  • 批准号:
    26630121
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

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酸素配位八面体回転を活用した圧電・強誘電体材料の設計と第一原理計算による材料探索
利用氧配位八面体旋转设计压电和铁电材料以及使用第一性原理计算进行材料探索
  • 批准号:
    16H06793
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

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