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Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting

Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting
展示新型二维材料在能量收集方面的压电特性
批准号：
19K21956
负责人：
Nagashio Kosuke
金额：
$4.16万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K21956/
关键词：
環境発電圧電・強誘電SnS2次元強誘電体強誘電特性圧電2次元材料

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Influence of interface dipole layers on the performance of graphene field effect transistors
DOI： 10.1016/j.carbon.2019.06.038
发表时间： 2019-07
期刊： Carbon
影响因子： 10.9
作者： [N. Nagamura;H. Fukidome;K. Nagashio;K. Horiba;T. Ide;K. Funakubo;K. Tashima;A. Toriumi;M. Suemitsu;K. Horn;M. Oshima]
通讯作者： N. Nagamura;H. Fukidome;K. Nagashio;K. Horiba;T. Ide;K. Funakubo;K. Tashima;A. Toriumi;M. Suemitsu;K. Horn;M. Oshima
"2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御",
“二维层状异质 FET 中的界面特性控制”，
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [. S. Egawa, H. Motoyama, G. Yamaguchi, S. Owada, Y. Kubota, Y. Matsuzawa, T. Kume, M. Yabashi, H. Mimura, 長汐晃輔,, 長汐晃輔,]
通讯作者： 長汐晃輔,
Uniform and ultrathin high-κ gate dielectrics for two-dimensional electronic devices
用于二维电子器件的均匀超薄高π栅极电介质
DOI： 10.1038/s41928-019-0334-y
发表时间： 2019-12-01
期刊： NATURE ELECTRONICS
影响因子： 34.3
作者： [Li, Weisheng, Zhou, Jian, Wang, Xinran]
通讯作者： Wang, Xinran
"MoS2 FETにおけるゲート容量の理解", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,
《理解MoS2 FET中的栅极电容》，从石墨烯开始的二维材料新技术与应用，
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [Takehiro Kume, Hirokazu Hashizume, Kentarou Hiraguri, Yusuke Matsuzawa, Yoichi Imamura, Hiroaki Miyashita, Takahiro Saito, Gota Yamaguchi, Yoko Takeo, Yasunori Senba, Hikaru Kishimoto, Haruhiko Ohashi, Hidekazu Mimura, 長汐晃輔,, 三村秀和, 長汐晃輔,]
通讯作者： 長汐晃輔,
共 29 条
    Universal gate stack for 2D layered channel
    • 批准号：
      16H04343
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.82万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Nagashio Kosuke
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor
    • 批准号：
      16K14446
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Nagashio Kosuke
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors
    • 批准号：
      26630121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Nagashio Kosuke
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金