Universal gate stack for 2D layered channel
Universal gate stack for 2D layered channel
批准号:
16H04343
负责人:
Nagashio Kosuke
金额:
$10.82万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance
石墨烯场效应晶体管应用——从量子电容中提取石墨烯在晶体管结构中的电带结构
DOI:
10.1557/jmr.2016.366
发表时间:
2017
期刊:
J. Mater. Res
影响因子:
--
作者:
[T. Gyakushi, Y. Asai, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, Nagashio Kosuke]
通讯作者:
Nagashio Kosuke
東大マテリアル・長汐研
东京大学材料/长潮实验室
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
"Interface engineerign for 2D electronics",
“二维电子学接口工程”,
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, Z. Wei, S. Muraoka, S. Ito, S. Yoneda, K. Nagashio,]
通讯作者:
K. Nagashio,
"Strongp-type SnS FETs: From Bulk to Monolayer",
“Strongp 型 SnS FET:从块状到单层”,
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Maruyama, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Ueno, K. Nagashio,]
通讯作者:
K. Nagashio,
2次元原子層半導体における層状ヘテロ界面の理解と制御
二维原子层半导体层状异质界面的理解和控制
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, K. Nagashio, 長汐晃輔]
通讯作者:
長汐晃輔
共 29 条
Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting
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批准号:19K21956
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2019
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负责人:Nagashio Kosuke
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依托单位:
Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor
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批准号:16K14446
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.33万
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财政年份:2016
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负责人:Nagashio Kosuke
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依托单位:
Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors
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批准号:26630121
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2014
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负责人:Nagashio Kosuke
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依托单位:
海外基金