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Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor

Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor
使用 Cu 蒸气在 h-BN 上直接生长石墨烯
批准号：
16K14446
负责人：
Nagashio Kosuke
金额：
$2.33万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14446/
关键词：
グラフェン2次元材料ファンでアワールスヘテロCVD直接成長h-BNヘテロ構造CVD成長

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Crystalline Graphdiyne Nanosheets Produced at a Gas/Liquid or Liquid/Liquid Interface
DOI： 10.1021/jacs.6b12776
发表时间： 2017-03-01
期刊： JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY
影响因子： 15
作者： [Matsuoka, Ryota, Sakamoto, Ryota, Nishihara, Hiroshi]
通讯作者： Nishihara, Hiroshi
Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting
  • 批准号：
    19K21956
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $4.16万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Nagashio Kosuke
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Universal gate stack for 2D layered channel
  • 批准号：
    16H04343
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.82万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Nagashio Kosuke
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Improvement of current gain for graphene-base hot electron transistors
  • 批准号：
    26630121
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Nagashio Kosuke
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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