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Imaging of threading dislocations by hyper-Raman scattering

通过超拉曼散射对螺纹位错进行成像

基本信息

批准号：
19K22043
负责人：
Tanikawa Tomoyuki
金额：
$ 4.16万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth

在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率

DOI：
10.7567/1347-4065/ab1125
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Fujimoto Satoru;Itakura Hideyuki;Tanikawa Tomoyuki;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki

Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence

使用多光子激发光致发光对宽禁带半导体进行无损缺陷表征

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Tanikawa;M. Uemukai;R. Katayama
通讯作者：
R. Katayama

Core structure of threading dislocations in GaN

GaN 中穿透位错的核心结构

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takanori Kiguchi;Yumiko Kodama;Yuichiro Hayasaka;Tomoyuki Tanikawa;Toyohiko J. Konno
通讯作者：
Toyohiko J. Konno

多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類

利用多光子光致发光方法对 HVPE-GaN 晶体中的穿透位错进行观察和分类

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
塚越真悠子;谷川智之;上向井正裕;片山竜二
通讯作者：
片山竜二

多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察

使用多光子激发光致发光非侵入性观察晶体缺陷

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
谷川智之
通讯作者：
谷川智之

DOI：
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作者：
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Tanikawa Tomoyuki其他文献

Multiphoton-Excitation Photoluminescence as a Tool for Defect Characterization of GaN Crystal

多光子激发光致发光作为 GaN 晶体缺陷表征的工具

DOI：
10.2320/materia.58.144
发表时间：
2019
期刊：
Materia Japan
影响因子：
0
作者：
南政孝;塩井太介;茂木進一;道平雅一;篠原俊也;Tanikawa Tomoyuki
通讯作者：
Tanikawa Tomoyuki

Observation of Threading Dislocation in Thick GaN Crystal Using Inelastically Scattered Electron

使用非弹性散射电子观察厚 GaN 晶体中的螺纹位错

DOI：
10.2320/materia.57.615
发表时间：
2018
期刊：
Materia Japan
影响因子：
0
作者：
Kiguchi Takanori;Shiraishi Takahisa;Konno Toyohiko J.;Tanikawa Tomoyuki
通讯作者：
Tanikawa Tomoyuki

Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/acc18e
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

高電圧インパルスによる薬剤耐性菌の遺伝子不活性化に関する研究

高压脉冲灭活耐药菌基因的研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
高電圧インパルスによる薬剤耐性菌の遺伝子不活性化に関する研究
影响因子：
0
作者：
Kiguchi Takanori;Shiraishi Takahisa;Konno Toyohiko J.;Tanikawa Tomoyuki;川野航平，古川隼士，上野崇寿
通讯作者：
川野航平，古川隼士，上野崇寿

Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence

双光子激发光致发光观察IMM单结InGaAs太阳能电池分级缓冲层位错

DOI：
10.1109/pvsc40753.2019.8981390
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子：
0
作者：
Ogura Akio;Tanikawa Tomoyuki;Takamoto Tatsuya;Oshima Ryuji;Suzuki Hidetoshi;Imaizumi Mitsuru;Sugaya Takeyoshi
通讯作者：
Sugaya Takeyoshi