Imaging of threading dislocations by hyper-Raman scattering
Imaging of threading dislocations by hyper-Raman scattering
通过超拉曼散射对螺纹位错进行成像
批准号：
19K22043
负责人：
Tanikawa Tomoyuki
金额：
$4.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
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Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth
在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率
在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率
DOI：
10.7567/1347-4065/ab1125
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Fujimoto Satoru, Itakura Hideyuki, Tanikawa Tomoyuki, Okada Narihito, Tadatomo Kazuyuki]
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence
使用多光子激发光致发光对宽禁带半导体进行无损缺陷表征
使用多光子激发光致发光对宽禁带半导体进行无损缺陷表征
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama]
通讯作者：
R. Katayama
Core structure of threading dislocations in GaN
GaN 中穿透位错的核心结构
GaN 中穿透位错的核心结构
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takanori Kiguchi, Yumiko Kodama, Yuichiro Hayasaka, Tomoyuki Tanikawa, Toyohiko J. Konno]
通讯作者：
Toyohiko J. Konno
多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類
利用多光子光致发光方法对 HVPE-GaN 晶体中的穿透位错进行观察和分类
利用多光子光致发光方法对 HVPE-GaN 晶体中的穿透位错进行观察和分类
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[塚越真悠子, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二]
通讯作者：
片山竜二
多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察
使用多光子激发光致发光非侵入性观察晶体缺陷
使用多光子激发光致发光非侵入性观察晶体缺陷
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷川智之]
通讯作者：
谷川智之
共 16 条
Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices
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批准号：16K18074
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2016
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负责人：Tanikawa Tomoyuki
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依托单位：
海外基金