Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices
Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices
氮化物半导体器件中极化感应电场的控制
批准号：
16K18074
负责人：
Tanikawa Tomoyuki
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開
MOVPE氮极性生长氮化物半导体的新进展
MOVPE氮极性生长氮化物半导体的新进展
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Uda, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, 松岡隆志]
通讯作者：
松岡隆志
High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology
高温载流子动力学导致自上而下纳米技术制造的 InGaN 纳米盘中的非辐射过程
高温载流子动力学导致自上而下纳米技术制造的 InGaN 纳米盘中的非辐射过程
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Chen, T. Kiba, J. Takayama, A. Higo, T. Tanikawa, S. Samukawa, A. Murayama]
通讯作者：
A. Murayama
Observation of Threading Dislocation in Thick GaN Crystal Using Inelastically Scattered Electron
使用非弹性散射电子观察厚 GaN 晶体中的螺纹位错
使用非弹性散射电子观察厚 GaN 晶体中的螺纹位错
DOI：
10.2320/materia.57.615
发表时间：
2018
期刊：
Materia Japan
影响因子：
--
作者：
[Kiguchi Takanori, Shiraishi Takahisa, Konno Toyohiko J., Tanikawa Tomoyuki]
通讯作者：
Tanikawa Tomoyuki
MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface
用于平面界面的小切边基板上 N 极 GaN/AlxGa1-xN/GaN 异质结构的 MOVPE 生长
用于平面界面的小切边基板上 N 极 GaN/AlxGa1-xN/GaN 异质结构的 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka]
通讯作者：
and T. Matsuoka
松岡研究室
松冈研究所
松冈研究所
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 21 条
Imaging of threading dislocations by hyper-Raman scattering
-
批准号：19K22043
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2019
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负责人：Tanikawa Tomoyuki
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依托单位：
海外基金