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Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices

氮化物半导体器件中极化感应电场的控制

基本信息

批准号：
16K18074
负责人：
Tanikawa Tomoyuki
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（25）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開

MOVPE氮极性生长氮化物半导体的新进展

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Satoshi Uda;Chihiro Koyama;Jun Nozawa;Hiromasa Niinomi;Junpei Okada;松岡隆志
通讯作者：
松岡隆志

High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology

高温载流子动力学导致自上而下纳米技术制造的 InGaN 纳米盘中的非辐射过程

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Chen;T. Kiba;J. Takayama;A. Higo;T. Tanikawa;S. Samukawa;A. Murayama
通讯作者：
A. Murayama

Observation of Threading Dislocation in Thick GaN Crystal Using Inelastically Scattered Electron

使用非弹性散射电子观察厚 GaN 晶体中的螺纹位错

DOI：
10.2320/materia.57.615
发表时间：
2018
期刊：
Materia Japan
影响因子：
0
作者：
Kiguchi Takanori;Shiraishi Takahisa;Konno Toyohiko J.;Tanikawa Tomoyuki
通讯作者：
Tanikawa Tomoyuki

MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface

用于平面界面的小切边基板上 N 极 GaN/AlxGa1-xN/GaN 异质结构的 MOVPE 生长

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Prasertsuk;S. Tanaka;T. Tanikawa;K. Shojiki;T. Kimura;A. Miura;R. Nonoda;F. Hemmi;S. Kuboya;R. Katayama;T. Suemitsu;and T. Matsuoka
通讯作者：
and T. Matsuoka

松岡研究室

松冈研究所

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：

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Tanikawa Tomoyuki其他文献

Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/acc18e
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

高電圧インパルスによる薬剤耐性菌の遺伝子不活性化に関する研究

高压脉冲灭活耐药菌基因的研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
高電圧インパルスによる薬剤耐性菌の遺伝子不活性化に関する研究
影响因子：
0
作者：
Kiguchi Takanori;Shiraishi Takahisa;Konno Toyohiko J.;Tanikawa Tomoyuki;川野航平，古川隼士，上野崇寿
通讯作者：
川野航平，古川隼士，上野崇寿

Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence

双光子激发光致发光观察IMM单结InGaAs太阳能电池分级缓冲层位错

DOI：
10.1109/pvsc40753.2019.8981390
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子：
0
作者：
Ogura Akio;Tanikawa Tomoyuki;Takamoto Tatsuya;Oshima Ryuji;Suzuki Hidetoshi;Imaizumi Mitsuru;Sugaya Takeyoshi
通讯作者：
Sugaya Takeyoshi

Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure

无极性反转结构的低双折射顺电材料整体微腔二次谐波发生装置

DOI：
10.35848/1882-0786/abff9e
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Nambu Tomoaki;Nagata Takumi;Umeda Soshi;Shiomi Keishi;Fujiwara Yasufumi;Hikosaka Toshiki;Mannan Abdul;Bagsican Filchito Renee G.;Serita Kazunori;Kawayama Iwao;Tonouchi Masayoshi;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

Nondestructive characterization of threading dislocations in graded buffer layers of inverted metamorphic solar cells by two-photon excitation spectroscopy

双光子激发光谱法无损表征倒置变质太阳能电池渐变缓冲层中的螺纹位错

DOI：
10.35848/1882-0786/ac2d10
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Ogura Akio;Tanikawa Tomoyuki;Takamoto Tatsuya;Oshima Ryuji;Sugaya Takeyoshi;Imaizumi Mitsuru
通讯作者：
Imaizumi Mitsuru