Crystallization and glass transition of liquid crystals

液晶的结晶和玻璃化转变

• 批准号: 20F18774
• 负责人: 齋藤 一弥
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-24 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20F18774/
• 关键词: 液晶; 結晶化; 細孔

相挙動が異なる複数の液晶性化合物について，熱分析的手法（示差走査熱量分析，光学顕微鏡観察，透過光量熱分析など）とX線回折を用いた実験を実施し，ポーランドでの実験結果（主として誘電分散測定）も利用して解析を行い，以下の成果を上げた．a) 液晶相からの結晶化：複数の駅斉唱物質について，温度走査速度に依存した相挙動とその背後にある分子運動状態を詳細に調べた．冷却速度が大きいと結晶化は起きず，液晶相のガラス状態へとガラス転移が起きた．b) 液晶相からの冷結晶化：液晶性の5CPB5では，DSCでの実験により，冷却速度が小さい場合には液晶相であるHexB相からの結晶化が完了するが，冷却速度が大きい場合には完了せずに加熱時に冷結晶化が起きた．結晶化挙動の速度論的な解析により，冷却時に完了する結晶化は熱力学的に駆動されているのに対し，不完全な結晶化と冷結晶化はいずれも，分子運動が結晶成長を支配していた．しかも，不完全な結晶化と冷結晶化は，温度変化の方向が逆であるにもかかわらず，単一の理論式で記述された．このことは，冷却時の結晶化と冷結晶化という外見的な区別以上に，結晶化を支配する因子が結晶化過程の理解にとって重要である事を示している．さらに，こうした結晶化を支配する因子が変化すると結晶成長の次元が変化して，結晶形をも変化した．（論文出版決定済）c) 細孔内でのガラス転移と結晶化：当該外国人特別研究員が発見している「実効的な負の圧力」の効果を検討するために，液晶性の5C4FPB3と5CPB5をモレキュラーシーブであるSBA-15 およびMCM-41のナノ細孔に導入した場合の挙動を主としてDSCにより検討した．液晶相の安定性，ガラス転移挙動などの相挙動全般および結晶化挙動（定温および等速昇降温）の細孔内導入率依存性を実験的に得た（解析進行中）．

The different liquid crystal compounds of the phase are different, and the thermal analysis methods (differential walking calorimetry, optical microscopic observation, transmission photocalorimetry analysis) are The line folding method is used for the いた実験を実时し, and the results of the ポーランドでの実験 (main として induced electrodispersion measurement) are analyzed using the して analysis method. The following results are as follows. a) Crystallization of the liquid crystal phase: the complex phase of the material is controlled by the temperature and the speed of the temperature trace depends on the phase movement and the state of molecular motion behind the liquid crystal phase. The cooling rate is high, the crystallization is high, and the liquid crystal phase is in the same state. b) The liquid crystal phase is cold crystallization: the liquid crystal property is 5CPB5, DSC is the liquid crystal phase, and the cooling rate is small. The crystallization of the HexB phase is completed when the cooling rate is large, and the cooling rate is large when the crystallization is completed. The crystallization is completed when the cooling rate is high. Analyzes of the speed theory of crystallization and the thermodynamics of crystallization when cooling is completedるのに対し, incomplete な crystallization and cold crystallization はいずれも, molecular motion and crystal growth を control していた.しかも, incomplete crystallization and cold crystallization, reverse direction of temperature change, であるにもかかわらず, single theoretical formula で description された.このことは, crystallization during cooling and cold crystallization というThe difference between the appearance and the above に, crystallization を dominates the factor がcrystallization process のunderstanding にとってimportant である事をshow している.さらに, こうしたCrystallization をDominates するfactor が剉化するとCrystal growth のdimensional dimension が変化して, Crystal form をも変化した． (Thesis publication decision) c) Crystallization of crystals inside the pores: When the foreign special researcher Nozomi Kasumi's "effective negative pressure force" is used Liquid crystal 5C4FPB3 and 5CPB5 をモレキュラーシーブであるSBA-15およびMCM-41のナノpore にIntroduction した occasion の挙动を主としてDSC により検 Discussion した. The stability of the liquid crystal phase, the dependence of the introduction rate into the pores of the general crystallization process of the liquid crystal phase (the analysis is in progress).

项目成果

Institute of Nuclear Physics, PAN(ポーランド)

PAN核物理研究所（波兰）