Ultra-reliable power electronics system with built-in power device degradation diagnosis technology
内置功率器件退化诊断技术的超可靠电力电子系统
基本信息
- 批准号:20H02134
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Design of an Integrated Air Coil for Current Sensing
用于电流传感的集成空气线圈的设计
- DOI:10.1109/jestpe.2020.2977102
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:5.5
- 作者:Yoshikazu Kuwabara;Keiji Wada;Jean-Michel Guichon ;Jean-Luc Schanen;James Roudet
- 通讯作者:James Roudet
Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions
用于开关操作条件下 SiC 功率器件的栅极氧化物 TDDB 评估系统
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
- 通讯作者:Keiji Wada
Design a Continuous Switching Test Circuit for Power Devices to Evaluate Reliability
设计功率器件的连续开关测试电路以评估可靠性
- DOI:10.1541/ieejjia.21004267
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.7
- 作者:Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
- 通讯作者:Keiji Wada
Design of Bus Bar Structure in Power Converter Circuit to Obtain Optimized Switching Waveform
功率变换器电路中母线结构的设计以获得优化的开关波形
- DOI:10.1541/ieejias.140.817
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Wang;X.;Wang;D.;He;J.;& Takagi;N.;三井晃司,和田圭二
- 通讯作者:三井晃司,和田圭二
Accelerated aging test for gate-oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring
用于状态监测的 SiC MOSFET 栅极氧化物退化的加速老化测试
- DOI:10.1016/j.microrel.2020.113777
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.6
- 作者:Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
- 通讯作者:Keiji Wada
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Wada Keiji其他文献
Control Method for Overvoltage Suppression Across the DC Capacitor in a Grid-Connection Converter Using Leg Short Circuit of Power mosfets during the Initial Charge
并网变换器首次充电时功率MOSFET桥臂短路抑制直流电容过压的控制方法
- DOI:
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- 影响因子:4.4
- 作者:
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Wada Keiji
核酸構造のトポロジーを基盤とする遺伝子発現の化学的制御 非二重らせんの構造と機能に関する新概念
基于核酸结构拓扑的基因表达化学控制 关于非双链螺旋结构和功能的新概念
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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高橋俊太郎
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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海津祐貴,加古川篤,馬書根
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- DOI:
10.1016/j.microrel.2020.113775 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:1.6
- 作者:
Mannen Tomoyuki;Isobe Takanori;Wada Keiji - 通讯作者:
Wada Keiji
Inter-laboratory validation of the WDXRF, EDXRF, ICP-MS, NAA and PGAA analytical techniques and geochemical characterisation of obsidian sources in northeast Hokkaido Island, Japan
日本北海道岛东北部黑曜石源的 WDXRF、EDXRF、ICP-MS、NAA 和 PGAA 分析技术和地球化学表征的实验室间验证
- DOI:
10.1016/j.jasrep.2017.11.013 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Suda Yoshimitsu;Grebennikov Andrei V.;Kuzmin Yaroslav V.;Glascock Michael D.;Wada Keiji;Ferguson Jeffrey R.;Kim Jong Chan;Popov Vladimir K.;Rasskazov Sergei V.;Yasnygina Tatyana A.;Saito Noriyuki;Takehara Hironobu;Carter Tristan;Kasztovszky Zsolt;Biro Kat - 通讯作者:
Biro Kat
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Control of lipid metabolism by a novel autophagic system for the prevention of neurodegenerative disorders
通过新型自噬系统控制脂质代谢以预防神经退行性疾病
- 批准号:
17K07124 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
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GaN功率器件PWM逆变器的设计与实现及其应用
- 批准号:
16H04320 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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高速电机驱动用高频开关逆变电路的开发
- 批准号:
25420263 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Regulation of higher brain function by lipid metabolism
通过脂质代谢调节高级脑功能
- 批准号:
25290027 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
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$ 11.4万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
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- 批准号:
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- 资助金额:
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采用拓扑优化的垂直GaN功率器件结构设计技术
- 批准号:
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$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号:
23K22797 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ダイヤモンド・パワーデバイスの内部歪み・ストレスのデバイス性能・信頼性への影響解明
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- 批准号:
24K07456 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
- 批准号:
23H01469 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号:
23K13313 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists