Development of High-Performance Thermoelectric Materials by Local Structure Control of Cu-S-based Tetrahedral Network

Cu-S基四面体网络局域结构控制开发高性能热电材料

基本信息

  • 批准号:
    20H02440
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
新規銅硫化物系熱電半導体Cu7VSnS8の結晶構造解析とキャリア濃度制御
新型硫化铜热电半导体Cu7VSnS8的晶体结构分析及载流子浓度控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kunihiro Ishida;Naoto Tanibata;Hayami Takeda;Masanobu Nakayama;Takashi Teranishi;Naoki Watanabe;上田 純平;香西 秀哉,末國 晃一郎,西堀 英治,SAUERSCHNIG Philipp,太田 道広,大瀧 倫卓
  • 通讯作者:
    香西 秀哉,末國 晃一郎,西堀 英治,SAUERSCHNIG Philipp,太田 道広,大瀧 倫卓
コルーサイトCu26T2M3Sb3S32 (T = V, Nb, Ta; M = Ge, Sn)の結晶構造と熱電物性
六锰矿Cu26T2M3Sb3S32的晶体结构和热电性能(T = V、Nb、Ta;M = Ge、Sn)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    末國 晃一郎;萩原 岳志;高橋 聖弥;西堀 英治;SAUERSCHNIG Philipp;太田 道広;大瀧 倫卓
  • 通讯作者:
    大瀧 倫卓
格子間ドーピングによる熱電銅硫化物コルーサイトの熱伝導率低減
间隙掺杂降低热电硫化铜粗锰矿的热导率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    末國 晃一郎;清水 裕太;斎藤 光;Chetty Raju;太田 道広;高畠 敏郎;大瀧 倫卓
  • 通讯作者:
    大瀧 倫卓
Central Michigan University(米国)
中央密歇根大学(美国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
銅-硫黄系熱電材料の探索:結晶構造と物性の関係
寻找铜硫热电材料:晶体结构与物理性能的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tarutani Naoki;Katagiri Kiyofumi;Inumaru Kei;Ishigaki Takamasa;末國 晃一郎
  • 通讯作者:
    末國 晃一郎
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Suekuni Koichiro其他文献

Thermoelectric properties of misfit layered sulfides (LaS)1+mTS2 (T= Cr, Nb) prepared through CS2 sulfurization
CS2硫化制备的失配层状硫化物(LaS)1 mTS2 (T= Cr, Nb)的热电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Priyanka Jood;Michihiro Ohta;Hirotaka Nishiate;Atsushi Yamamoto;Oleg I. Lebedev;David Berthbaud;Suekuni Koichiro;Masaru Kunii
  • 通讯作者:
    Masaru Kunii
Zn-Substitution Effect on Metal-Semiconductor Transition in Tetrahedrite Cu12Sb4S13
Zn 取代对四面体 Cu12Sb4S13 金属-半导体转变的影响
  • DOI:
    10.7566/jpscp.29.013008
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsui Takashi;Matsuno Haruki;Kotegawa Hisashi;Tou Hideki;Suekuni Koichiro;Hasegawa Takumi;Tanaka Hiromi I.;Takabatake Toshiro
  • 通讯作者:
    Takabatake Toshiro
硫化スピネルCu2Ti4S8の電子構造制御によるゼーベック係数の増大
通过控制硫化物尖晶石Cu2Ti4S8的电子结构提高塞贝克系数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hashikuni Katsuaki;Suekuni Koichiro;Usui Hidetomo;Chetty Raju;Ohta Michihiro;Takabatake Toshiro;Ohtaki Michitaka;橋國克明,末國晃一郎,臼井秀知,Chetty Raju,太田道広,高畠敏郎,大瀧倫卓
  • 通讯作者:
    橋國克明,末國晃一郎,臼井秀知,Chetty Raju,太田道広,高畠敏郎,大瀧倫卓
Precursor of Metal-Semiconductor Transition in Tetrahedrite Probed by Cu-NMR
Cu-NMR 探测四面体中金属-半导体转变的前驱体
  • DOI:
    10.7566/jpscp.30.011075
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsui Takashi;Matsuno Haruki;Kotegawa Hisashi;Tou Hideki;Suekuni Koichiro;Hasegawa Takumi;Tanaka Hiromi I.;Takabatake Toshiro
  • 通讯作者:
    Takabatake Toshiro
Misfit layered sulfides (LaS)1+mTS2(T= Cr, Nb) as potential high temperature thermoelectric materials
失配层状硫化物 (LaS)1 mTS2(T= Cr, Nb) 作为潜在的高温热电材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Priyanka Jood;Michihiro Ohta;Hirotaka Nishiate;Atsushi Yamamoto;Oleg I. Lebedev;David Berthbaud;Suekuni Koichiro
  • 通讯作者:
    Suekuni Koichiro

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    $ 11.65万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    17J00622
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    23710139
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    06750693
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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知道了