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Physical Models of Temperature-dependent Resitivity and Hall Coefficient in Heavily Al-doped 4H-SiC

重掺铝 4H-SiC 中温度相关电阻率和霍尔系数的物理模型

基本信息

批准号：
20K04565
负责人：
Matsuura Hideharu
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Osaka Electro-Communication University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Anomalous Conduction between the Band and Nearest-Neighbor Hopping Conduction Regions in Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC

重掺铝 p 型 4H-SiC 中能带和最近邻跳变传导区之间的反常传导

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.1004.224
发表时间：
2020
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Hidaka Atsuki;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Matsuura Hideharu;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Mitani Takeshi;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime
通讯作者：
Okumura Hajime

Sign and Activation Energy of Hall Coefficient for Hopping Conduction in Heavily Al-Doped 4H-SiC

重掺铝4H-SiC中跳跃传导霍尔系数的符号和活化能

DOI：
10.36266/jpcr/145
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Physics and Chemistry Research
影响因子：
0
作者：
Hideharu Matsuura;Rinya Nishihata;and Atsuki Hidaka
通讯作者：
and Atsuki Hidaka

Al濃度1E20 cm^-3台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の結晶性と電気特性との関係

Al浓度在1E20 cm^-3范围内p型4H-SiC CVD外延薄膜结晶度与电性能的关系

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
近藤佑樹;日高淳輝;松浦秀治;紀世陽;江藤数馬;児島一聡;加藤智久;吉田貞史;奥村元
通讯作者：
奥村元

Al濃度10^20 cm^-3台前半でのp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係

Al浓度在10^20 cm^-3范围内p型4H-SiC外延膜电阻率的温度依赖性及其与Al浓度的关系

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
近藤佑樹;竹下明伸;今村辰哉;高野晃大;奥田和也;日高淳輝;松浦秀治;紀世陽;江藤数馬;児島一聡;加藤智久;吉田貞史;奥村元
通讯作者：
奥村元

Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC

重掺铝4H-SiC的电性能

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Hideharu Matsuura;Akinobu Takeshita;Rinya Nishihata;Yuuki Kondo;and Atsuki Hidaka
通讯作者：
and Atsuki Hidaka

DOI：
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Matsuura Hideharu其他文献

CuCl1-XIX薄膜のウェットプロセスによる膜厚変化の試み

尝试通过湿法改变CuCl1-XIX薄膜的厚度

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Matsuura Hideharu;Nishihata Rinya;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Hidaka Atsuki;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;村山堅亮，本間大祐，田中久仁彦，森谷克彦
通讯作者：
村山堅亮，本間大祐，田中久仁彦，森谷克彦

透明塗布型太陽電池の開発に向けたPN接合時における熱処理による変化

透明涂层太阳能电池开发中PN键合过程中热处理引起的变化

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hidaka Atsuki;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Matsuura Hideharu;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Mitani Takeshi;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;佐藤翔，忻欣，泉晋作;前田猛，岡本浩;工藤礼士，本間大祐，森谷克彦
通讯作者：
工藤礼士，本間大祐，森谷克彦

スピンコート法による新規透明p型半導体（CuCl1-XIX薄膜）の作製

旋涂法制备新型透明p型半导体（CuCl1-XIX薄膜）

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Matsuura Hideharu;Kondo Yuki;Iida Kosuke;Hidaka Atsuki;Ji Shiyang;Eto Kazuma;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;本間大祐，村山堅亮，森谷克彦
通讯作者：
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代表極に基づく天井クレーンの最適振れ止めPD 制御ゲインの設計（奨励賞受賞）

基于代表杆的桥式起重机最优稳架PD控制增益设计（鼓励奖）

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hidaka Atsuki;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Matsuura Hideharu;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Mitani Takeshi;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;佐藤翔，忻欣，泉晋作
通讯作者：
佐藤翔，忻欣，泉晋作

真空蒸着法によるMOSキャパシタの作製

真空蒸镀法制作MOS电容器

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hidaka Atsuki;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Matsuura Hideharu;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Mitani Takeshi;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;佐藤翔，忻欣，泉晋作;前田猛，岡本浩
通讯作者：
前田猛，岡本浩