Mode division multiplexing light source using volume hologram

使用体积全息图的模分复用光源

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mode-multiplexed Light Source using Angularly-Multiplexed Volume Holograms
使用角度复用体积全息图的模式复用光源
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Satoshi Shinada;Yuta Goto;Hideaki Furukawa
  • 通讯作者：
    Hideaki Furukawa
Spatial Mode multiplexed Light Source using Angularly multiplexed Volume Holograms
使用角度复用体积全息图的空间模式复用光源
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Shinada Satoshi其他文献

f-ダイバージェンスに基づく情報源Resolvability レートのSmooth R´enyi エントロ ピーによる表現
基于f散度的信息源分辨率的平滑R´enyi熵表示
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Lu Guo-Wei;Zhang Hong-Bo;Shinada Satoshi;Hong Jianxun;Cheng Yongpeng;Yokoyama Shiyoshi;野村亮
  • 通讯作者：
    野村亮

Shinada Satoshi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('Shinada Satoshi', 18)}}的其他基金

Civil Code Reform and Criminal Law - by perspectiv of law enforcement mesures
民法改革与刑法——从执法措施角度
  • 批准号：
    15K03174
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

Reconfigurable semiconductor technology for advanced neural implants
用于先进神经植入的可重构半导体技术
  • 批准号：
    10094495
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Collaborative R&D
SBIR Phase II: Chemical Mechanical Planarization pad with controlled micro features for sub 7nm semiconductor technology
SBIR 第二阶段：具有受控微观特征的化学机械平坦化垫，适用于 7 纳米以下半导体技术
  • 批准号：
    1951211
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Standard Grant
SBIR Phase I: Chemical Mechanical Planarization pad with controlled micro features for sub 7nm semiconductor technology
SBIR 第一阶段：具有受控微观特征的化学机械平坦化垫，适用于 7 纳米以下半导体技术
  • 批准号：
    1843578
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Standard Grant
Study of very deeply scaled semiconductor technology and its applications in high perfomace mixed signal circuits
超深度半导体技术及其在高性能混合信号电路中的应用研究
  • 批准号：
    331463-2006
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
Study of very deeply scaled semiconductor technology and its applications in high perfomace mixed signal circuits
超深度半导体技术及其在高性能混合信号电路中的应用研究
  • 批准号：
    331463-2006
  • 财政年份：
    2008
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
Semiconductor Technology 2020. The Workshop will be held in Rochester NY on May 14-16, 2007.
2020 年半导体技术。研讨会将于 2007 年 5 月 14 日至 16 日在纽约罗切斯特举行。
  • 批准号：
    0733611
  • 财政年份：
    2007
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Standard Grant
Study of very deeply scaled semiconductor technology and its applications in high perfomace mixed signal circuits
超深度半导体技术及其在高性能混合信号电路中的应用研究
  • 批准号：
    331463-2006
  • 财政年份：
    2007
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
Study of very deeply scaled semiconductor technology and its applications in high perfomace mixed signal circuits
超深度半导体技术及其在高性能混合信号电路中的应用研究
  • 批准号：
    331463-2006
  • 财政年份：
    2006
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
MRI: Acquisition of Semiconductor Technology Lab for Undergraduate Reseasrch/training at Utah Valley State College
MRI：收购犹他谷州立学院本科生研究/培训半导体技术实验室
  • 批准号：
    0216598
  • 财政年份：
    2002
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Standard Grant
Dynamic Behavior of Radiation-induced Defects in Silicon Crystal and Its Application to Semiconductor Technology
硅晶体辐射缺陷的动态行为及其在半导体技术中的应用
  • 批准号：
    10650013
  • 财政年份：
    1998
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了