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Development of surface structure analysis method using Kikuchi pattern
开发使用菊池图案的表面结构分析方法
基本信息
- 批准号：20K05330
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Structural changes due to reannealing of Ge thin films prepared by solid phase epitaxial growth on Si (111) surface
- DOI：10.1016/j.tsf.2020.138007
- 发表时间：2020-09-01
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Ishii, Chiaki;Shigeta, Yukichi
- 通讯作者：Shigeta, Yukichi
Influence of Surface Plasmon on Kikuchi Pattern in RHEED
表面等离子体激元对 RHEED 中菊池图案的影响
- DOI：10.1380/ejssnt.2023-014
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0.7
- 作者：Shigeta Yukichi;Higuchi Morio;Hagiwara Yuto
- 通讯作者：Hagiwara Yuto
半導体薄膜の固相エピタキシーにおける結晶化と再結晶化
半导体薄膜固相外延中的结晶和再结晶
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：荒田 昌宏;Rezwan Ahmed;中川 剛志;水野 清義;重田 諭吉
- 通讯作者：重田 諭吉
Influence of Inelastic Scattering Cross-Section on Kikuchi Pattern in RHEED
RHEED 中非弹性散射截面对 Kikuchi 图案的影响
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yukichi Shigeta;Morio Higuchi and Yuto Hagiwara
- 通讯作者：Morio Higuchi and Yuto Hagiwara
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Shigeta Yukichi
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$ 2.83万 - 项目类别：
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- 批准号：
5240546 - 财政年份：2000
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$ 2.83万 - 项目类别：
Research Grants
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脉冲激光沉积薄膜生长动力学的亚微秒 RHEED 研究
- 批准号：
9903460 - 财政年份：1999
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$ 2.83万 - 项目类别：
Continuing Grant
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全反射角软X射线能谱结合RHEED的研制
- 批准号：
11559002 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).