Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
批准号:
19H00855
负责人:
Ishikawa Fumitaro
金额:
$28.95万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2023-03-31
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AlGaOx nanowires obtained by wet oxidation as a visible white phosphor under UV-LED illumination
通过湿式氧化获得的 AlGaOx 纳米线作为 UV-LED 照明下的可见白色荧光粉
DOI:
10.35848/1347-4065/ac575d
发表时间:
2022
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Tanigawa Takeru, Tsutsumi Rikuo, Ishikawa Fumitaro]
通讯作者:
Ishikawa Fumitaro
Crystalline quality of GaAs1-xBix grown below 250 °C using molecular beam epitaxy
使用分子束外延在 250 °C 以下生长的 GaAs1-xBix 的晶体质量
DOI:
10.35848/1882-0786/ac5ba5
发表时间:
2022
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[Yoriko Tominaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Fumitaka Nishiyama, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa]
通讯作者:
Fumitaro Ishikawa
MBE研究で続けてきたこと
MBE 研究的进展
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroki Matsumoto, Shinya Ota, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, 石部 貴史, 小松原 祐樹, 石川史太郎]
通讯作者:
石川史太郎
Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning
使用机器学习通过 MBE 生长估计半导体纳米线的最佳条件
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Hara, Y. Maeda, A. Kusaba, Y. Kangawa, F. Ishikawa, T. Okuyama]
通讯作者:
T. Okuyama
AlGaOx Nanowires Phosphor Obtained by Wet Oxidation of AlGaAs Providing a White Light Under UV-LED illumination
通过湿式氧化 AlGaAs 获得的 AlGaOx 纳米线荧光粉在 UV-LED 照明下提供白光
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Takeru Tanigawa, Rikuo Tsutsumi, Fumitaro Ishikawa]
通讯作者:
Fumitaro Ishikawa
共 71 条
Establishing doping technique for semi-conducting nano-polycrystalline diamond
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批准号:17K18883
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2017
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负责人:Ishikawa Fumitaro
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依托单位:
Establishment of semiconductor-oxide composite nanowires and its application to photocatalyst
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批准号:16H05970
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$16.06万
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财政年份:2016
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负责人:Ishikawa Fumitaro
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依托单位:
Establishment of carrier controlled semiconducting diamond by high-pressure and high-temperature technique
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批准号:15K13957
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2015
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负责人:Ishikawa Fumitaro
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依托单位:
海外基金