Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程
基本信息
- 批准号:19H00855
- 负责人:
- 金额:$ 28.95万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(74)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
AlGaOx nanowires obtained by wet oxidation as a visible white phosphor under UV-LED illumination
通过湿式氧化获得的 AlGaOx 纳米线作为 UV-LED 照明下的可见白色荧光粉
- DOI:10.35848/1347-4065/ac575d
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro
- 通讯作者:Ishikawa Fumitaro
Crystalline quality of GaAs1-xBix grown below 250 °C using molecular beam epitaxy
使用分子束外延在 250 °C 以下生长的 GaAs1-xBix 的晶体质量
- DOI:10.35848/1882-0786/ac5ba5
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Yoriko Tominaga;Yukihiro Horita;Yuto Takagaki;Fumitaka Nishiyama;Mitsuki Yukimune;Fumitaro Ishikawa
- 通讯作者:Fumitaro Ishikawa
MBE研究で続けてきたこと
MBE 研究的进展
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hiroki Matsumoto;Shinya Ota;Tomohiro Koyama;Daichi Chiba;石部 貴史;小松原 祐樹;石川史太郎
- 通讯作者:石川史太郎
Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning
使用机器学习通过 MBE 生长估计半导体纳米线的最佳条件
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Hara;Y. Maeda;A. Kusaba;Y. Kangawa;F. Ishikawa;T. Okuyama
- 通讯作者:T. Okuyama
AlGaOx Nanowires Phosphor Obtained by Wet Oxidation of AlGaAs Providing a White Light Under UV-LED illumination
通过湿式氧化 AlGaAs 获得的 AlGaOx 纳米线荧光粉在 UV-LED 照明下提供白光
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeru Tanigawa;Rikuo Tsutsumi;Fumitaro Ishikawa
- 通讯作者:Fumitaro Ishikawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Ishikawa Fumitaro其他文献
AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大
通过 AlGaAs/GaAs 二维电子气提高功率因数
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro;上松 悠人 - 通讯作者:
上松 悠人
長崎県島原半島南部口之津地域に分布する玄武岩の 年代と岩石学的特徴
长崎县岛原半岛南部口之津地区分布的玄武岩年龄及岩石学特征
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Fukuta Rei;Murakami Yohei;Ohfuji Hiroaki;Shinmei Toru;Irifune Tetsuo;Ishikawa Fumitaro;長井大輔,東山陽次,柵山徹也 - 通讯作者:
長井大輔,東山陽次,柵山徹也
半導体ナノ構造の熱電特性
半导体纳米结构的热电性能
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Minehisa Keisuke;Murakami Ryo;Hashimoto Hidetoshi;Nakama Kaito;Sakaguchi Kenta;Tsutsumi Rikuo;Tanigawa Takeru;Yukimune Mitsuki;Nagashima Kazuki;Yanagida Takeshi;Sato Shino;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;Ishikawa Fumitaro;中村 芳明 - 通讯作者:
中村 芳明
界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大
界面控制透明 ZnO 薄膜中热电功率因数的提高
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro;石部 貴史 - 通讯作者:
石部 貴史
様々なかん水資源からのリチウム回収技術の開発と実用化への道
各类卤水资源回收锂技术开发及实际应用
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Zhang Bin;Stehr Jan E.;Chen Ping‐Ping;Wang Xingjun;Ishikawa Fumitaro;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;吉塚和治 - 通讯作者:
吉塚和治
Ishikawa Fumitaro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ishikawa Fumitaro', 18)}}的其他基金
Establishing doping technique for semi-conducting nano-polycrystalline diamond
半导体纳米多晶金刚石掺杂技术的建立
- 批准号:
17K18883 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Establishment of semiconductor-oxide composite nanowires and its application to photocatalyst
半导体-氧化物复合纳米线的构建及其在光催化剂中的应用
- 批准号:
16H05970 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Establishment of carrier controlled semiconducting diamond by high-pressure and high-temperature technique
高压高温技术构建载流子控制半导体金刚石
- 批准号:
15K13957 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
- 批准号:
24KJ0323 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
次世代スマートデバイス実現に向けた超小型・高精細RGB三原色ナノワイヤ光源開発
开发超小型、高清RGB三色纳米线光源,实现下一代智能设备
- 批准号:
24K00925 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
単一ナノワイヤのリアルタイム超音波計測によるエレクトロマイグレーション機構の究明
通过实时超声测量单纳米线研究电迁移机制
- 批准号:
23K23176 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
酸化物フリーCuナノワイヤが実現する完全塗布型太陽電池
由无氧化物铜纳米线实现的完全涂层型太阳能电池
- 批准号:
23K25053 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
構造制御による電子状態・散乱操作した高性能透明熱電材料の創製
通过结构控制创建具有电子态和散射操纵的高性能透明热电材料
- 批准号:
22KJ2111 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
界面・極表面の化学構造解析に向けたナノワイヤAFM-PTIR法の開発と応用
界面和极端表面化学结构分析纳米线AFM-PTIR方法的开发与应用
- 批准号:
23K19205 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Creation of an integrated chemical sensor system that combines molecular filtering, concentration, and sensing functions
创建集分子过滤、浓缩和传感功能于一体的集成化学传感器系统
- 批准号:
22KF0075 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
10nm線幅金パラジウム合金ナノワイヤ水素ガスセンサの高速応答と高耐久性の実現
实现10nm线宽金钯合金纳米线氢气传感器的高速响应和高耐用性
- 批准号:
22KJ1317 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Innovative Chemical Sensor Based on Interface State Control of Oxide Semiconductor Nanowires with PN Junction
基于PN结氧化物半导体纳米线界面状态控制的创新化学传感器
- 批准号:
23K13360 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Innovation of electromigration-driven fine-injection method for nanowire scaling up
用于纳米线放大的电迁移驱动精细注射方法的创新
- 批准号:
23H01300 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 28.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)














{{item.name}}会员




