Establishment of carrier controlled semiconducting diamond by high-pressure and high-temperature technique
高压高温技术构建载流子控制半导体金刚石
基本信息
- 批准号:15K13957
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Semi-conductive characteristics of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique
高压高温合成纳米多晶金刚石的半导体特性
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:F. Ishikawa;A. Ishikawa;K. Hamada;M. Matsushita;H. Ohfuji;T. Shinmei;T. Irifune
- 通讯作者:T. Irifune
高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの基礎物性評価
高温高压合成纳米多晶金刚石的基本物理性能评价
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石川晃啓;濱田幸佑;石川史太郎;松下正史;大藤弘明;新名亨;入舩徹男
- 通讯作者:入舩徹男
Investigations on the properties of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique
高压高温合成纳米多晶金刚石性能研究
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kohsuke Hamada;Akihiro Ishikawa;Masafumi Matsushita;Fumitaro Ishikawa;Hiroaki Ohfuji;Toru Shinmei;and Tetsuo Irifune
- 通讯作者:and Tetsuo Irifune
Pyramid diamond synthesised with high pressure and high temperature technique
高压高温合成金字塔金刚石
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Fukuta;N. Yamamoto;F. Ishikawa;M. Matsushita;H. Ohfuji;T. Shinmei;T. Irifune
- 通讯作者:T. Irifune
高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの光学特性評価
高温高压合成纳米多晶金刚石光学性能评价
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:福田 玲;石川 晃啓;石川 史太郎;松下 正史;大藤 弘明;新名 亨;入舩 徹男
- 通讯作者:入舩 徹男
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Ishikawa Fumitaro其他文献
AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大
通过 AlGaAs/GaAs 二维电子气提高功率因数
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro;上松 悠人 - 通讯作者:
上松 悠人
長崎県島原半島南部口之津地域に分布する玄武岩の 年代と岩石学的特徴
长崎县岛原半岛南部口之津地区分布的玄武岩年龄及岩石学特征
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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長井大輔,東山陽次,柵山徹也
半導体ナノ構造の熱電特性
半导体纳米结构的热电性能
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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中村 芳明
AlGaOx nanowires obtained by wet oxidation as a visible white phosphor under UV-LED illumination
通过湿式氧化获得的 AlGaOx 纳米线作为 UV-LED 照明下的可见白色荧光粉
- DOI:
10.35848/1347-4065/ac575d - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro - 通讯作者:
Ishikawa Fumitaro
界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大
界面控制透明 ZnO 薄膜中热电功率因数的提高
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro;石部 貴史 - 通讯作者:
石部 貴史
Ishikawa Fumitaro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ishikawa Fumitaro', 18)}}的其他基金
Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程
- 批准号:
19H00855 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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Establishing doping technique for semi-conducting nano-polycrystalline diamond
半导体纳米多晶金刚石掺杂技术的建立
- 批准号:
17K18883 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Establishment of semiconductor-oxide composite nanowires and its application to photocatalyst
半导体-氧化物复合纳米线的构建及其在光催化剂中的应用
- 批准号:
16H05970 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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相似海外基金
高温高圧合成法による4f電子系ナノ空間物質の創製と物性評価
高温高压合成法4f电子基纳米空间材料的制备及性能评价
- 批准号:
20045015 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
新しい炭素材料としての1次元炭素結晶カルビンの高温高圧合成と物性
新型碳材料一维碳晶卡宾的高温高压合成及物理性能
- 批准号:
05650638 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
窒化ホウ素の高温高圧合成
高温高压合成氮化硼
- 批准号:
X43210------5160 - 财政年份:1968
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)