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Establishment of semiconductor-oxide composite nanowires and its application to photocatalyst
半导体-氧化物复合纳米线的构建及其在光催化剂中的应用
基本信息
- 批准号：16H05970
- 负责人：
- 金额：$ 16.06万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth of Dilute Nitride Core-Multishell Nanowires
稀氮化物核-多壳纳米线的生长
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryo Fujiwara;Mitsuki Yukimune;Fumitaro Ishikawa
- 通讯作者：Fumitaro Ishikawa
T. Mita, R. Fujiwara, M. Yukimune, R. Tsutsumi, F. Ishikawa
T.三田、R.藤原、M.幸宗、R.堤、F.石川
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Yukimune;R. Fujiwara;T. Mita;F. Ishikawa;Molecular beam epitaxial growth of various diluted nitride nanowires
- 通讯作者：Molecular beam epitaxial growth of various diluted nitride nanowires
Novel Compound Semiconductor Nanowires; Materials, Devices, and Applications
新型化合物半导体纳米线；
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Katsuhiro Tomioka;Junichi Motohisa Takashi Fukui
- 通讯作者：Junichi Motohisa Takashi Fukui
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Ishikawa Fumitaro其他文献
AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大
通过 AlGaAs/GaAs 二维电子气提高功率因数
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro;上松 悠人 - 通讯作者：
上松 悠人
長崎県島原半島南部口之津地域に分布する玄武岩の 年代と岩石学的特徴
长崎县岛原半岛南部口之津地区分布的玄武岩年龄及岩石学特征
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Fukuta Rei;Murakami Yohei;Ohfuji Hiroaki;Shinmei Toru;Irifune Tetsuo;Ishikawa Fumitaro;長井大輔，東山陽次，柵山徹也 - 通讯作者：
長井大輔，東山陽次，柵山徹也
半導体ナノ構造の熱電特性
半导体纳米结构的热电性能
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Minehisa Keisuke;Murakami Ryo;Hashimoto Hidetoshi;Nakama Kaito;Sakaguchi Kenta;Tsutsumi Rikuo;Tanigawa Takeru;Yukimune Mitsuki;Nagashima Kazuki;Yanagida Takeshi;Sato Shino;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;Ishikawa Fumitaro;中村 芳明 - 通讯作者：
中村 芳明
AlGaOx nanowires obtained by wet oxidation as a visible white phosphor under UV-LED illumination
通过湿式氧化获得的 AlGaOx 纳米线作为 UV-LED 照明下的可见白色荧光粉
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac575d - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro - 通讯作者：
Ishikawa Fumitaro
界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大
界面控制透明 ZnO 薄膜中热电功率因数的提高
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro;石部 貴史 - 通讯作者：
石部 貴史
Ishikawa Fumitaro的其他文献
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{{ truncateString('Ishikawa Fumitaro', 18)}}的其他基金
Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程
- 批准号：
19H00855 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Establishing doping technique for semi-conducting nano-polycrystalline diamond
半导体纳米多晶金刚石掺杂技术的建立
- 批准号：
17K18883 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Establishment of carrier controlled semiconducting diamond by high-pressure and high-temperature technique
高压高温技术构建载流子控制半导体金刚石
- 批准号：
15K13957 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
分子線エピタキシー法による鉄系超伝導Ba122エピタキシャル薄膜の物性開拓
利用分子束外延技术开发铁基超导 Ba122 外延薄膜的物理性能
- 批准号：
22KJ1252 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法を用いた新奇重い電子系超伝導の創出とその研究
利用分子束外延技术创建和研究新型重电子超导
- 批准号：
12J01649 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による鉄系超伝導薄膜の成長と超伝導接合の作製
铁基超导薄膜的生长和分子束外延超导结的制备
- 批准号：
12J10465 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による酸化ガリウム系深紫外発光ダイオードの作製と評価
分子束外延法制备氧化镓基深紫外发光二极管并对其进行评价
- 批准号：
08J06591 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
GaAs基板上におけるGaInNAs結晶の高品質分子線エピタキシー成長
GaInNAs 晶体在 GaAs 衬底上的高质量分子束外延生长
- 批准号：
06F06129 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による自己形成量子ドット成長のその場時分割X線回折
分子束外延生长自组装量子点的原位时间分辨X射线衍射
- 批准号：
15760014 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
分子線エピタキシー法による1μm波長帯GaN/AlN量子カスケードレーザの開発
采用分子束外延法开发1μm波段GaN/AlN量子级联激光器
- 批准号：
13750315 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
硫化亜鉛系半導体の硫黄圧制御分子線エピタキシーの初期過程の制御と紫外レーザの作製
硫化锌基半导体硫压控制分子束外延初始过程控制及紫外激光器制备
- 批准号：
13750014 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機分子線エピタキシーによる青色レーザー分子固体の探索
通过有机分子束外延寻找蓝色激光分子固体
- 批准号：
12875004 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
原子状水素援用分子線エピタキシーによるInGaAs量子ドットの作製とその物性評価
原子氢辅助分子束外延制备InGaAs量子点及其物理性能评价
- 批准号：
99J07048 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 16.06万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows