Establishing doping technique for semi-conducting nano-polycrystalline diamond

半导体纳米多晶金刚石掺杂技术的建立

基本信息

  • 批准号:
    17K18883
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-06-30 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
InP封入によるナノ多結晶ダイヤモンドへの影響
InP夹杂物对纳米多晶金刚石的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田玲,村上洋平;山本直也,石川史太郎,松下正史,新名亨,大藤弘明,入舩徹男
  • 通讯作者:
    山本直也,石川史太郎,松下正史,新名亨,大藤弘明,入舩徹男
ナノ多結晶ダイヤモンド高温・高圧合成時InP封入の影響
InP夹杂物对高温高压合成纳米多晶金刚石的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田玲,村上洋平;山本直也,石川史太郎,松下正史,新名亨,大藤弘明,入舩徹男;福田 玲,村上洋平,山本 直也,石川 史太郎,松下 正史,大藤弘明,新名亨,入舩徹男
  • 通讯作者:
    福田 玲,村上洋平,山本 直也,石川 史太郎,松下 正史,大藤弘明,新名亨,入舩徹男
Pyramid diamond synthesised with high pressure and high temperature technique
高压高温合成金字塔金刚石
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Fukuta;N. Yamamoto;F. Ishikawa;M. Matsushita;H. Ohfuji;T. Shinmei;T. Irifune
  • 通讯作者:
    T. Irifune
Direct conversion of diamond from P ion implanted graphite by high pressure and high temperature technique
高压高温技术将P离子注入石墨直接转化为金刚石
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Otsuyama;R. Fukuta;Y. Murakami;F. Ishikawa;M. Matsushita;H. Ohfuji;T. Shinmei;T. Irifune
  • 通讯作者:
    T. Irifune
Pイオンを注入したナノ多結晶ダイアモンド合成
P离子注入纳米多晶金刚石的合成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田 玲;村上 洋平;石川 史太郎;松下 正史;新名 亨;大藤 弘明;入舩 徹男
  • 通讯作者:
    入舩 徹男
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Ishikawa Fumitaro其他文献

AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大
通过 AlGaAs/GaAs 二维电子气提高功率因数
  • DOI:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro;上松 悠人
  • 通讯作者:
    上松 悠人
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fukuta Rei;Murakami Yohei;Ohfuji Hiroaki;Shinmei Toru;Irifune Tetsuo;Ishikawa Fumitaro;長井大輔,東山陽次,柵山徹也
  • 通讯作者:
    長井大輔,東山陽次,柵山徹也
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半导体纳米结构的热电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Minehisa Keisuke;Murakami Ryo;Hashimoto Hidetoshi;Nakama Kaito;Sakaguchi Kenta;Tsutsumi Rikuo;Tanigawa Takeru;Yukimune Mitsuki;Nagashima Kazuki;Yanagida Takeshi;Sato Shino;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;Ishikawa Fumitaro;中村 芳明
  • 通讯作者:
    中村 芳明
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  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac575d
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro
  • 通讯作者:
    Ishikawa Fumitaro
界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大
界面控制透明 ZnO 薄膜中热电功率因数的提高
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tanigawa Takeru;Tsutsumi Rikuo;Ishikawa Fumitaro;石部 貴史
  • 通讯作者:
    石部 貴史

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    1968
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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