磁性体との相互作用を用いた単原子層ラシュバ型超伝導体に対する研究
磁性体との相互作用を用いた単原子層ラシュバ型超伝導体に対する研究
批准号:
19H01849
负责人:
岡本 徹
金额:
$11.23万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2023-03-31
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英文摘要
Pbなどの超薄膜において、Rashba相互作用がもたらす新奇な2次元超伝導相が実現されていることを検証するための有力な方法の一つとして、近接させた磁性体の影響を調べることが考えられる。特に、スピンフィルターとなる強磁性体層を配置した障壁を介してトンネル結合させたPb超薄膜の2層構造試料を用いることにより、スピン三重項成分からの寄与を選択的に取り出すことが期待できる。本年度は、交換相互作用に関する知見を得ることを目的として、Pb超薄膜と磁性体との間に非磁性金属を挿入した場合に対して研究を行った。2-3原子層のPb超薄膜表面を1-2原子層のAuでコーティングしたのちに、微量のFeまたはCoを堆積させた場合において、Pb超薄膜に直接堆積させた場合よりも、超伝導転移温度の減少率が大きくなるという、一見意外に思える結果が得られた。磁性体に隣接する原子がPbよりも価数が小さなAuに置き換わったことにより、伝導電子による磁気モーメントの遮へい効果、すなわち近藤効果が弱くなった結果として理解することができた。近藤温度が超伝導転移温度よりも大きな領域に対する理論によれば、磁性体の数密度に対する超伝導転移温度の減少率の大きさは、おおむね近藤温度に反比例する。FeおよびCoに対する結果は、Auでコーティングした場合でも、依然として伝導電子による遮へいの強い近藤効果領域にあることを示していると考えられる。一方で、Mnを堆積させた場合には、Auのコーティングによる効果は強くなく、近藤効果領域と自由磁気モーメント領域の中間領域にあることを示唆する結果となった。
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金属単原子層における二次元超伝導と磁性
金属单层的二维超导性和磁性
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[R. Masutomi, T. Okamoto, Y. Yanase, 岡本徹]
通讯作者:
岡本徹
GaAs劈開面上のBi薄膜の磁場中輸送特性
GaAs解理面上Bi薄膜的磁场输运特性
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[伊藤尚人, 岡本徹]
通讯作者:
岡本徹
Observation of crossover from a complex-stripe phase to a helical phase in multiple one-atomic-layer films
观察多个单原子层薄膜中从复杂条纹相到螺旋相的交叉
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[R. Masutomi, T. Okamoto, Y. Yanase]
通讯作者:
Y. Yanase
DOI:
10.1103/physrevb.101.184502
发表时间:
2020-05-04
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
[Masutomi, Ryuichi, Okamoto, Tohru, Yanase, Youichi]
通讯作者:
Yanase, Youichi
Elucidation of protein translation shutoff by mosquito-borne flavivirus
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批准号:20H03495
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2020
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
強相関シリコン二次元電子系における量子相転移
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批准号:20029005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2008
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
半導体劈開表面に形成された新しい2次元電子系
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批准号:18043008
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.84万
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财政年份:2006
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
InAs表面反転層における超伝導
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批准号:14654059
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2002
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
半導体界面2次元系における新しい金属相と磁場効果
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批准号:11740212
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1999
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
半導体中局在二次元電子系における多体交換相互作用と磁性
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批准号:09740293
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1997
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
Si-MOS二次元電子系における極低温領域での巨大磁気抵抗の角度依存性
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批准号:08740297
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1996
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
Si-MOS二次元電子系における金属・絶縁体転移:ランダウ準位の崩壊と電子の局在
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批准号:06740300
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:岡本 徹
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依托单位:
海外基金