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半導体劈開表面に形成された新しい2次元電子系
在半导体解理表面上形成的新二维电子系统
基本信息
- 批准号：18043008
- 负责人：
- 金额：$ 3.84万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2007
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
InAs壁開表面に鉄を蒸着して表面反転層を誘起したハイブリッド系において、特定の被覆率領域で磁気抵抗曲線の明瞭なヒステリシスを観測した。1原子層以下の鉄薄膜の磁気的状態を2次元電子系の電気伝導を通じて観測した初めての研究成果である。ヒシテリシスは10K程度の温度で消失するが、これより低い温度領域で、温度変化や磁場変化の履歴による抵抗変化やその長時間緩和過程を詳細に調べたところ、鉄薄膜がスピングラス状態を形成していることを示唆する実験結果が得られた。InAs壁開表面にアルカリ金属を蒸着した場合について、表面原子密度と2次元電子密度との関係を詳細に調べた。表面原子密度はイオンソースの積算電流から求め、2次元電子密度はホール係数から求めた。低原子密度領域においては、2次元電子密度は表面原子密度と比例して増加し、銀の場合の実験結果に対して我々が提唱したモデルとコンシステントな結果を得た。この増加は2次元電子のフェルミエネルギーが表面ドナー準位に達すると飽和する。飽和電子濃度から表面ドナー準位を導出するため、自己無撞着な計算手法を開発した。表面ドナー準位と原子のイオン化エネルギーとの関係は、これまで光電子分光から示唆されていた傾向と矛盾しないが、今回の実験結果の方が表面ドナー準位は高い。光電子分光の先行研究においては、金属蒸着は室温において行われたため、クラスター形成等の問題が生じたためだと思われる。我々の手法の方が、高精度に表面ドナー準位を求めることができるので、今後、様々な物質に対して研究を拡張する必要がある。
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项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Observation of the quantum Hall effect in cleaved InAs surfaces
裂开 InAs 表面量子霍尔效应的观察
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Tsuji;T.Mochizuki;T.Okamoto
- 通讯作者：T.Okamoto
Quantum Hall effect at cleaved InSb surfaces and low-temperature annealing effect
InSb 解理表面的量子霍尔效应和低温退火效应
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Masutomi;M. Hio;T. Mochizuki;T. Okamoto
- 通讯作者：T. Okamoto
Magneto transport properties of Ge channels with extremely high compressive strain
具有极高压缩应变的Ge通道的磁输运特性
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Sawano;Y.Kunishi;Y.Shiraki;K.Toyama;Y.Okamoto;N.Usami;K.Nakawaga
- 通讯作者：K.Nakawaga
Dynamic nuclear polarization induced by hot electrons
热电子引起的动态核极化
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Komori;T.Okamoto
- 通讯作者：T.Okamoto
Magnetoresistance in the Strongly Insulating Regime of GaAs Two-Dimensional Hole Systems
GaAs 二维空穴系统强绝缘状态下的磁阻
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Toyama;M.Ooya;T.Okamoto;Y.Hashimoto;S.Katsumoto and Y.Iye
- 通讯作者：S.Katsumoto and Y.Iye
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岡本 徹其他文献
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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相似海外基金
表面・界面物性制御による極低反射率結晶シリコン太陽電池の超高効率化
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- 批准号：
17J03077 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 3.84万 - 项目类别：
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Development of in-situ system of measuring surface/interface properties in biomaterials with electromagnetically spinning technique
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- 批准号：
26870115 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.84万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 3.84万 - 项目类别：
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利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----220320 - 财政年份：1977
- 资助金额：
$ 3.84万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 3.84万 - 项目类别：
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- 批准号：
X00040----021815 - 财政年份：1975
- 资助金额：
$ 3.84万 - 项目类别：
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