Si-MOS二次元電子系における金属・絶縁体転移:ランダウ準位の崩壊と電子の局在

Si-MOS二维电子系统中的金属-绝缘体转变：朗道能级塌陷和电子局域化

• 批准号: 06740300
• 负责人: 岡本 徹
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Gakushuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06740300/
• 关键词: 金属・絶縁体転移; 2次元電子系; 整数量子ホール効果

申請者は、シリコンMOS中の二次元電子における金属・絶縁体転移の研究を行ってきた。本年度の成果を以下に列記する。1.高移動度試料を用いて、電子濃度と対角およびホール伝導率との関係を測定した。不規則性を表す無次元パラメータω_cτを導入することによってKhmelnitskiiとLaughlinが提唱した、非局在状態バンドの浮上のモデルと良く比較することができた。2.金属状態と絶縁体状態の相境界の振る舞いも、スピン分離や谷分離の増強効果を考慮することにより、上記モデルにより良く説明できた。このことより、絶縁体領域での巨大磁気抵抗の原因が、従来まで考えられていた電子のウィグナー結晶化ではなくて、アンダーソン局在に対する電子間相互作用の摂動的効果によるものであることが明らかになった。(1.と2.は研究発表参照)。3.今月の2月に低移動度試料に対しても、同様の測定を行った。金属・絶縁体転移が起こる電子濃度は高移動度試料の場合に比べて50%程度高くなるものの、ω_cτとランダウ充填率の関数としての対角伝導率とホール伝導率の振る舞いは高移動度試料の場合と非常に近いものであった。この結果は、シリコンMOS中の二次元電子における金属・絶縁体転移に対する我々の解釈の正当性をより確かなものにした。(現在、投稿論文準備中)4.電子が存在する二次元平面の垂線と磁場との角度を0度から約60度にした場合に、絶縁体領域での巨大磁気抵抗の振る舞いが劇的に変化することが観測された。この横磁場依存性が、今後の大きな課題となる。

The applicant and the applicant are required to conduct a study on the transfer of the metal body in the secondary power plant of MOS. The achievements of this year are listed below. 1. The temperature of the high mobility material is determined by the temperature, the temperature angle, the temperature, the temperature and the temperature. In the non-standard table, there is no significant difference between ω _ c tau and Khmelnitskii Laughlin, which is better than that in the state of affairs. two。 Metal shape, body shape, phase boundary, vibration, dance, separation, separation and separation. The reason for the huge magnetic resistance in the field of environmental protection, the cause of the huge magnetic resistance, the crystallization of the computer system, the effect of the interaction between the computers, the results of the interaction between the computers, the results of the interaction between the computers. (1. 2. The research table is referenced. 3. In February this month, the low mobility data will be used to determine the performance of the test line. The temperature of the metal body is 50% higher than that of 50%, and the filling rate of ω _ c is higher than that of 50%. The filling rate of metal body is higher than that of 50%, ω _ cta. the filling rate is very high. The results are as follows: in the MOS, the two-dimensional electronic system, the metal body, the metal body, the metal body (currently in preparation for contributions) 4. There are two-dimensional plane, vertical lines, magnetic fields, angles of 0 degrees, 60 degrees, 60 degrees, and so on. In the body field, there is a wide range of giant magnets to resist vibration. The dependence of the transverse magnetic field is very important, and there will be significant problems in the future.

项目成果

岡本 徹 他3名: "Transition from Quantum Hall Metal to Insulator Induced by Floating-up of Extended-State Bands in Si-MOSFET's" Proceedings of 11th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics(to be published by World Scientific). 1

Toru Okamoto等3人：“Transition from Quantum Hall Metal to Insulator Induced by Floating-up of Extended-State Bands in Si-MOSFETs”第11届国际半导体物理高磁场会议论文集（将由World Scientific出版）。 1