InAs表面反転層における超伝導
InAs表面反型层的超导性
基本信息
- 批准号:14654059
- 负责人:
- 金额:$ 2.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2003
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
プラズモン機構による超伝導は高密度ほど起こりやすいと考えられるため、酸化シリコンをスパッタリングによりInAs表面に堆積させて、そのときの衝撃により表面近傍にキャリアを誘起させた。このキャリアによって面抵抗が自然反転層だけがあったときよりも著しく減少がすることがわかったが、このキャリアの分布を調べるために極低温下での磁気抵抗測定を行った。2次元面に対して平行に印加した磁場に対して明瞭なシュブニコフ・ドハース振動が観測された。電子系が2次元的であれば(界面量子化されていれば)、面内磁場に対する振動は現れないはずであるので、誘起された電子系は3次元的である。また、垂直磁場下でのホール抵抗の測定から得られる面密度とあわせて解析することによって、この3次元電子の表面からの広がりが1μm程度であることが明らかになった。表面に加えられた衝撃により誘起された3次元電子は、熱処理をするとその分布を広げるとともに徐々に消滅する。消滅後は、反転層の2次元電子だけが残るが、衝撃を加える前よりは、若干、2次元キャリア密度が増加する傾向があることがわかった。今後、衝撃と熱処理の条件を変えることによって、2次元電子密度を著しく増加させることができるかもしれない。極低温・超高真空中での劈開表面に金属を蒸着することによりInAs表面キャリアを誘起する実験も行った。今回、容易に試料や蒸着金属を変えて短時間で劈開、蒸着、測定のサイクルを行えるシステムを開発した。予備実験において、1原子層程度の銀を蒸着すると劈開直後に100kΩ程度あった面抵抗が1kΩ程度まで減少することがわかった。
プ ラ ズ モ ン institutions に よ る ultra high density ほ 伝 guide は ど up こ り や す い と exam え ら れ る た め, acidification シ リ コ ン を ス パ ッ タ リ ン グ に よ り に InAs surface accumulation さ せ て, そ の と き の blunt shock に よ り surface near alongside に キ ャ リ ア を induced さ せ た. こ の キ ャ リ ア に よ っ て natural planning layer surface resistance が だ け が あ っ た と き よ り も the し く reduce が す る こ と が わ か っ た が, こ の キ ャ リ ア の distribution を adjustable べ る た め で に extremely low temperature magnetic 気 の resistance measurement line を っ た. 2 dimensional surface に し seaborne て parallel に Inca し た magnetic に し seaborne て clear な シ ュ ブ ニ コ フ · ド ハ ー ス vibration が 観 measuring さ れ た. An electronics が 2 dimensional で あ れ ば quantization (interface さ れ て い れ ば), in-plane magnetic field に す seaborne る vibration は now れ な い は ず で あ る の で, induced さ れ た an electronics は 3rd dimensional で あ る. ま た, vertical magnetic field で の ホ ー ル の resistance measurement か ら have ら れ る surface density と あ わ せ て parsing す る こ と に よ っ て, こ の 3 dimensional electronic の surface か ら の hiroo が り が 1 mu m degree で あ る こ と が Ming ら か に な っ た. Surface with に え ら れ た blunt shock に よ り induced さ れ た 3 dimensional electronic は, hot 処 を す る と そ の distribution を hiroo げ る と と も に xu 々 に eliminate す る. の は after elimination, the planning layer 2 dimensional electronic だ け が residual る が, strong shock を plus え る before よ り は, several, 2 dimensional キ ャ リ ア density が raised plus す る tendency が あ る こ と が わ か っ た. In the future, strong shock と hot 処 を Richard の conditions - え る こ と に よ っ て, 2 dimensional electron density を し く raised plus さ せ る こ と が で き る か も し れ な い. Extremely low temperature, high vacuum で に の split surface metal を steamed す る こ と に よ り InAs surface キ ャ リ ア を induced す る be 験 も line っ た. This back, easy to に material や steamed metal を - え て で split, steamed, short time measuring の サ イ ク ル を line え る シ ス テ ム を open 発 し た. Reserve be 験 に お い て, 1 degree of atomic layer の silver を steamed す る と に 100 k Ω degree after splitting straight あ っ た degree of surface resistance が 1 k Ω ま で reduce す る こ と が わ か っ た.
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Kawano, T.Okamoto: "Scanning electrometer using the capacitive coupling in quantum Hall effect devices"Applied Physics Letters. 84. 1111-1113 (2004)
Y.Kawano、T.Okamoto:“在量子霍尔效应器件中使用电容耦合的扫描静电计”应用物理快报。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
y.Kawano, S.Komiyama: "Cyclotron Radiation Imaging of Nonequilibrium Electrons in Quantum Hall"Recent Research Developments in Physics. 3巻. 129-153 (2002)
y.Kawano, S.Komiyama:“量子大厅中非平衡电子的回旋辐射成像”物理学最新研究进展第 3 卷。129-153 (2002)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Tsuji, T.Okamoto: "Subband structure and magneto-conductivity of InAs-MIS inversion layers"Physica E. (2004年掲載予定).
Y.Tsuji、T.Okamoto:“InAs-MIS 反演层的子带结构和磁导率”Physica E.(计划于 2004 年出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Kawano, T.Okamoto: "Local electrometer using magnetoresistance oscillation of a two-dimensional electron gas"Proceedings of the 15th international conference on High Magnetic Fields. (掲載予定).
Y.Kawano、T.Okamoto:“使用二维电子气磁阻振荡的局部静电计”第 15 届高磁场国际会议论文集(待出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Ooya, T.Okamoto: "Anomalous metallic phase and magnetism in a high-mobility and strongly correlated 2D electron system"Proceedings of the 23rd international conference on Low Temperature Physics. (掲載予定).
M.Ooya,T.Okamoto:“高迁移率和强相关二维电子系统中的异常金属相和磁性”第 23 届国际低温物理学会议论文集(即将出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
岡本 徹其他文献
C 型肝炎ウイルスゲノム複製に関与する宿主蛋白質B-ind1 の機能解析
丙型肝炎病毒基因组复制中宿主蛋白B-ind1的功能分析
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
田鍬修平;岡本 徹;阿部隆之;森 嘉生;森石恆司;松浦善治 - 通讯作者:
松浦善治
核小体形成を標的とした抗フラビウイルス薬の同定
针对核仁形成的抗黄病毒药物的鉴定
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
宮本 洋一; 徳永 詢;鈴木 達也;大谷 真弓;井貫 晋輔;江崎 剛史;長尾 知生子;水口 賢司;大野 浩章;米田 悦啓;岡本 徹;松浦 善治;岡 正啓 - 通讯作者:
岡 正啓
フラビウイルスの非構造蛋白質NS1の機能解析
黄病毒非结构蛋白NS1的功能分析
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
田村 友和;福原 崇介;小野 慎子;森 寛行;泉 琢磨;佐藤 あすか;Yuzy Fauzyah;岡本 徹;松浦 善治 - 通讯作者:
松浦 善治
フラビウイルス科ウイルスの粒子産生における分泌性糖タンパク質の役割
分泌糖蛋白在黄病毒科病毒颗粒产生中的作用
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
田村 友和;福原 崇介;塩川 舞;小野 慎子;山本 聡美;森 寛行;栗原 健;岡本 徹;青木 博史;迫田 義博;松浦 善治 - 通讯作者:
松浦 善治
岡本 徹的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('岡本 徹', 18)}}的其他基金
Elucidation of protein translation shutoff by mosquito-borne flavivirus
蚊媒黄病毒对蛋白质翻译关闭的阐明
- 批准号:
20H03495 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
磁性体との相互作用を用いた単原子層ラシュバ型超伝導体に対する研究
利用与磁性材料相互作用的单原子层 Rashba 超导体研究
- 批准号:
19H01849 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強相関シリコン二次元電子系における量子相転移
强关联硅二维电子系统中的量子相变
- 批准号:
20029005 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体劈開表面に形成された新しい2次元電子系
在半导体解理表面上形成的新二维电子系统
- 批准号:
18043008 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体界面2次元系における新しい金属相と磁場効果
半导体界面二维系统中的新金属相和磁场效应
- 批准号:
11740212 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半導体中局在二次元電子系における多体交換相互作用と磁性
半导体局域二维电子系统中的多体交换相互作用和磁性
- 批准号:
09740293 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
Si-MOS二次元電子系における極低温領域での巨大磁気抵抗の角度依存性
Si-MOS二维电子系统极低温区巨磁阻的角度依赖性
- 批准号:
08740297 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
Si-MOS二次元電子系における金属・絶縁体転移:ランダウ準位の崩壊と電子の局在
Si-MOS二维电子系统中的金属-绝缘体转变:朗道能级塌陷和电子局域化
- 批准号:
06740300 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似海外基金
セシウム吸着により生じたシリコン表面反転層の抵抗異常
铯吸附引起硅表面反型层电阻异常
- 批准号:
56540198 - 财政年份:1981
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
パルス強磁場下に於けるSiMOS表面反転層の遠赤外磁気光分光による研究
脉冲强磁场下SiMOS表面反型层的远红外磁光光谱研究
- 批准号:
X00210----374093 - 财政年份:1978
- 资助金额:
$ 2.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)














{{item.name}}会员




