Building of Technical Basis for fabrication of high-power AlN devices

构建高功率AlN器件制造技术基础

• 批准号: 19H02166
• 负责人: okumura hironori
• 金额: $ 10.98万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02166/
• 关键词: AlN; パワーデバイス; イオン注入; MOSFET; 高温デバイス; SBD; 不純物拡散; 表面処理; 窒化物半導体; Siドーピング; MESFET; 高温熱処理; 接触抵抗; 熱酸化; トランジスタ; MOS構造; 点欠陥評価; オーミック電極; 高温アニール; デバイスプロセス; エッチング; 高耐圧素子; 縦型デバイス; 金属/半導体界面

项目成果

Nitrogen-Polar Polarization-Doped Field-Effect Transistor Based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC With Drain Current Over 100 mA/mm

• DOI: 10.1109/led.2019.2923902
• 发表时间: 2019-08-01
• 期刊: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
• 影响因子: 4.9
• 作者: Lemettinen, Jori;Chowdhury, Nadim;Palacios, Tomas
• 通讯作者: Palacios, Tomas

(AlGa)2O3/Ga2O3 resonant tunneling diodes

(AlGa)2O3/Ga2O3 谐振隧道二极管

• 发表时间: 2020
• 作者: Lemettinen Jori;Chowdhury Nadim;Okumura Hironori;Kim Iurii;Suihkonen Sami;Palacios Tomas;Hironori Okumura
• 通讯作者: Hironori Okumura

ワイドギャップ半導体研究室

宽禁带半导体实验室

Mg implantation in AlN layers on sapphire substrates

蓝宝石衬底上 AlN 层中的 Mg 注入

• DOI: 10.35848/1347-4065/acb898
• 发表时间: 2023
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Okumura Hironori;Uedono Akira
• 通讯作者: Uedono Akira

MIT(米国)

麻省理工学院（美国）