Building of Technical Basis for fabrication of high-power AlN devices
Building of Technical Basis for fabrication of high-power AlN devices
构建高功率AlN器件制造技术基础
批准号：
19H02166
负责人：
okumura hironori
金额：
$10.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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DOI：
10.1109/led.2019.2923902
发表时间：
2019-08-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
[Lemettinen, Jori, Chowdhury, Nadim, Palacios, Tomas]
通讯作者：
Palacios, Tomas
(AlGa)2O3/Ga2O3 resonant tunneling diodes
(AlGa)2O3/Ga2O3 谐振隧道二极管
(AlGa)2O3/Ga2O3 谐振隧道二极管
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Lemettinen Jori, Chowdhury Nadim, Okumura Hironori, Kim Iurii, Suihkonen Sami, Palacios Tomas, Hironori Okumura]
通讯作者：
Hironori Okumura
ワイドギャップ半導体研究室
宽禁带半导体实验室
宽禁带半导体实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Mg implantation in AlN layers on sapphire substrates
蓝宝石衬底上 AlN 层中的 Mg 注入
蓝宝石衬底上 AlN 层中的 Mg 注入
DOI：
10.35848/1347-4065/acb898
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Okumura Hironori, Uedono Akira]
通讯作者：
Uedono Akira
MIT(米国)
麻省理工学院（美国）
麻省理工学院（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
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