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Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science

Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
通过原子控制湿科学创新形成氢端硅原子片
批准号：
19H02478
负责人：
Arima Kenta
金额：
$10.98万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02478/
关键词：
ウェットエッチング金属アシストエッチングSi表面原子層シート自己組織化ステップ／テラス構造Siシート金属援用エッチング金属めっき選択メッキ

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Wet Chemical Processing to Form Nanotrenches along Step Edges on a Vicinal Si(111) Surface Composed of Terraces and Atomic Steps
湿化学处理在由阶地和原子台阶组成的邻位 Si(111) 表面上沿台阶边缘形成纳米沟槽
DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [Kenta Arima, Zhida Ma, Tetsuro Takeuchi, Ryuto Hashimoto, Rongyan Sun, Kazuya Yamamura]
通讯作者： Kazuya Yamamura
湿式法によるSi(111)表面のステップ端に沿ったナノ溝構造の自己組織的形成
湿法沿Si(111)表面台阶边缘自组织形成纳米凹槽结构
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Higashi, K. Kawai, K. Yamamura, K. Arima, 竹内鉄朗，馬智達，橋本龍人，孫栄硯，山村和也，有馬健太]
通讯作者： 竹内鉄朗，馬智達，橋本龍人，孫栄硯，山村和也，有馬健太
銀イオンの選択吸着を援用したSi表面上への連続ナノ溝構造の形成と評価
利用银离子选择性吸附在硅表面连续纳米凹槽结构的形成和评估
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [石関政洋, 内藤健, 桑名隆久, 浅原彰文, 清水亮介, 美濃島薫, 馬智達，増本晴文，川合健太郎，山村和也，有馬健太]
通讯作者： 馬智達，増本晴文，川合健太郎，山村和也，有馬健太
Adsorption of Water Molecules on Oxide Surfaces and Its Impact on the Electronic Property of the Oxides Probed by In Situ XPS
原位XPS探测氧化物表面水分子的吸附及其对氧化物电子性质的影响
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [増本晴文, 川合健太郎, 山村和也, 有馬健太, Kenta Arima]
通讯作者： Kenta Arima
共 29 条
    Challenge to create catalytic tool without any metallic elements
    • 批准号：
      18K18808
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Arima Kenta
    • 依托单位：
      Osaka University
    Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
    • 批准号：
      16K14133
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Arima Kenta
    • 依托单位：
      Osaka University
    Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
    • 批准号：
      15H03902
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.65万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Arima Kenta
    • 依托单位：
      Osaka University