权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science

通过原子控制湿科学创新形成氢端硅原子片

基本信息

批准号：
19H02478
负责人：
Arima Kenta
金额：
$ 10.98万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（34）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Wet Chemical Processing to Form Nanotrenches along Step Edges on a Vicinal Si(111) Surface Composed of Terraces and Atomic Steps

湿化学处理在由阶地和原子台阶组成的邻位 Si(111) 表面上沿台阶边缘形成纳米沟槽

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kenta Arima;Zhida Ma;Tetsuro Takeuchi;Ryuto Hashimoto;Rongyan Sun;Kazuya Yamamura
通讯作者：
Kazuya Yamamura

湿式法によるSi(111)表面のステップ端に沿ったナノ溝構造の自己組織的形成

湿法沿Si(111)表面台阶边缘自组织形成纳米凹槽结构

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Higashi;K. Kawai;K. Yamamura;K. Arima;竹内鉄朗，馬智達，橋本龍人，孫栄硯，山村和也，有馬健太
通讯作者：
竹内鉄朗，馬智達，橋本龍人，孫栄硯，山村和也，有馬健太

銀イオンの選択吸着を援用したSi表面上への連続ナノ溝構造の形成と評価

利用银离子选择性吸附在硅表面连续纳米凹槽结构的形成和评估

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
石関政洋;内藤健;桑名隆久;浅原彰文;清水亮介;美濃島薫;馬智達，増本晴文，川合健太郎，山村和也，有馬健太
通讯作者：
馬智達，増本晴文，川合健太郎，山村和也，有馬健太

Adsorption of Water Molecules on Oxide Surfaces and Its Impact on the Electronic Property of the Oxides Probed by In Situ XPS

原位XPS探测氧化物表面水分子的吸附及其对氧化物电子性质的影响

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
増本晴文;川合健太郎;山村和也;有馬健太;Kenta Arima
通讯作者：
Kenta Arima

2020版薄膜作製応用ハンドブック、第２編「薄膜の作製と加工」第１章「基板と表面処理」、第２節　半導体基板（Si・Ge・SiC）

2020年版薄膜制造应用手册，第2卷“薄膜制造和加工”第1章“衬底和表面处理”第2节半导体衬底（Si/Ge/SiC）

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
増本晴文;川合健太郎;山村和也;有馬健太;Kenta Arima;有馬健太;羽深等　他11名;礒部晶　他15名;有馬健太（分担執筆）
通讯作者：
有馬健太（分担執筆）

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Arima Kenta其他文献

Formation of Etch Pits on Germanium Surfaces Loaded with Reduced Graphene Oxide in Water

水中负载还原氧化石墨烯的锗表面蚀刻坑的形成

DOI：
10.1149/07704.0127ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Nakade Kazuki;Hirano Tomoki;Li Shaoxian;Saito Yusuke;Mori Daichi;Morita Mizuho;Kawai Kentaro;Arima Kenta
通讯作者：
Arima Kenta

Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy

近常压 X 射线光电子能谱研究水蒸气与超薄 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 结构的反应性

DOI：
10.1149/08002.0131ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Arima Kenta;Hosoi Takuji;Watanabe Heiji;Crumlin Ethan J
通讯作者：
Crumlin Ethan J

Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing

等离子辅助抛光中抛光压力和滑动速度对单晶金刚石材料去除机理的影响

DOI：
10.1016/j.diamond.2022.108899
发表时间：
2022
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya
通讯作者：
Yamamura Kazuya

Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing

新型高效免修整抛光技术，采用等离子体辅助表面改性和修整

DOI：
10.1016/j.precisioneng.2021.05.003
发表时间：
2021
期刊：
Precision Engineering
影响因子：
0
作者：
Sun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura Kazuya
通讯作者：
Yamamura Kazuya