Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
通过装载原子控制石墨烯的催化工具创建半导体表面
批准号：
16K14133
负责人：
Arima Kenta
金额：
$2.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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洗浄技術のコツ --Si表面のウェット洗浄
清洗技术技巧——硅表面湿法清洗
清洗技术技巧——硅表面湿法清洗
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 直彦, 森本 喜隆, 金子 義幸, 廣崎 憲一, 岡崎 祐一, 有馬健太]
通讯作者：
有馬健太
HOPG 基板上に形成したヒドラジン還元グラフェンナノシートの原子レベル構造観察
HOPG基底上形成的肼还原石墨烯纳米片的原子级结构观察
HOPG基底上形成的肼还原石墨烯纳米片的原子级结构观察
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[李韶賢, 平野智暉, 川合健太郎, 山村和也, 有馬健太]
通讯作者：
有馬健太
Carbon Overlayer on 4H-SiC Surfaces by Plasma Oxidation at near Room Temperature Followed by Wet Etching
在近室温下通过等离子体氧化和湿法蚀刻在 4H-SiC 表面形成碳覆盖层
在近室温下通过等离子体氧化和湿法蚀刻在 4H-SiC 表面形成碳覆盖层
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Hosoo, R. Ito, K. Kawai, Y. Sano, M. Morita and K. Arima]
通讯作者：
M. Morita and K. Arima
Observations of chemically reduced graphene oxide on atomic scale by scanning tunneling microscopy
通过扫描隧道显微镜在原子尺度上观察化学还原氧化石墨烯
通过扫描隧道显微镜在原子尺度上观察化学还原氧化石墨烯
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[李韶賢, 平野智暉, 川合健太郎, 山村和也, 有馬健太]
通讯作者：
有馬健太
ローレンスバークレー国立研究所(米国)
劳伦斯伯克利国家实验室（美国）
劳伦斯伯克利国家实验室（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 23 条
Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
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批准号：19H02478
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.98万
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财政年份：2019
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负责人：Arima Kenta
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依托单位：
Challenge to create catalytic tool without any metallic elements
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批准号：18K18808
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$3.99万
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财政年份：2018
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负责人：Arima Kenta
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依托单位：
Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
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批准号：15H03902
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.65万
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财政年份：2015
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负责人：Arima Kenta
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依托单位：
海外基金