刷新
{{item.name}}会员
Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
通过装载原子控制石墨烯的催化工具创建半导体表面
基本信息
- 批准号：16K14133
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
洗浄技術のコツ --Si表面のウェット洗浄
清洗技术技巧——硅表面湿法清洗
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木 直彦;森本 喜隆;金子 義幸;廣崎 憲一;岡崎 祐一;有馬健太
- 通讯作者：有馬健太
HOPG 基板上に形成したヒドラジン還元グラフェンナノシートの原子レベル構造観察
HOPG基底上形成的肼还原石墨烯纳米片的原子级结构观察
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：李韶賢;平野智暉;川合健太郎;山村和也;有馬健太
- 通讯作者：有馬健太
Observations of chemically reduced graphene oxide on atomic scale by scanning tunneling microscopy
通过扫描隧道显微镜在原子尺度上观察化学还原氧化石墨烯
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：李韶賢;平野智暉;川合健太郎;山村和也;有馬健太
- 通讯作者：有馬健太
Carbon Overlayer on 4H-SiC Surfaces by Plasma Oxidation at near Room Temperature Followed by Wet Etching
在近室温下通过等离子体氧化和湿法蚀刻在 4H-SiC 表面形成碳覆盖层
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Hosoo;R. Ito;K. Kawai;Y. Sano;M. Morita and K. Arima
- 通讯作者：M. Morita and K. Arima
Comparative study of GeO2/Ge and SiO2/Si structures on anomalous charging of oxide films upon water adsorption revealed by ambient-pressure X-ray photoelectron spectroscopy
- DOI：10.1063/1.4962202
- 发表时间：2016-09
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：D. Mori;H. Oka;T. Hosoi;K. Kawai;M. Morita;E. Crumlin;Zhi Liu;Heiji Watanabe;Kenta Arima
- 通讯作者：D. Mori;H. Oka;T. Hosoi;K. Kawai;M. Morita;E. Crumlin;Zhi Liu;Heiji Watanabe;Kenta Arima
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Arima Kenta其他文献
Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing
等离子辅助抛光中抛光压力和滑动速度对单晶金刚石材料去除机理的影响
- DOI：
10.1016/j.diamond.2022.108899 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya - 通讯作者：
Yamamura Kazuya
Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing
新型高效免修整抛光技术，采用等离子体辅助表面改性和修整
- DOI：
10.1016/j.precisioneng.2021.05.003 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura Kazuya - 通讯作者：
Yamamura Kazuya
Arima Kenta的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Arima Kenta', 18)}}的其他基金
Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
通过原子控制湿科学创新形成氢端硅原子片
- 批准号：
19H02478 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Challenge to create catalytic tool without any metallic elements
挑战创造不含任何金属元素的催化工具
- 批准号：
18K18808 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
通过等离子体辅助退火在平坦的 SiC(0001) 表面上形成低缺陷密度石墨烯
- 批准号：
15H03902 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
キラルリン酸と光化学の融合による新規触媒反応の開発
手性磷酸与光化学相结合开发新型催化反应
- 批准号：
23K26658 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
表面イオニクス触媒の創製と低温電場アシスト脱水素触媒反応への応用
表面离子催化剂的制备及其在低温电场辅助脱氢催化反应中的应用
- 批准号：
24K08158 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
電子駆動触媒反応による新規なプロセス電化技術の開拓
利用电子驱动催化反应开发新工艺电气化技术
- 批准号：
24K17036 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
金属原子近傍の塩基部位の効果的利用による錯体合成および環境調和型触媒反応の開発
通过有效利用金属原子附近的碱位开发复杂合成和环境友好的催化反应
- 批准号：
24K08412 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
拡散律速極限下で駆動する分子性触媒反応系の創成
创建扩散极限驱动的分子催化反应系统
- 批准号：
24K01611 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
シランの求核的活性化を鍵とする革新的触媒反応の開発
基于硅烷亲核活化的创新催化反应的开发
- 批准号：
23K21121 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
人工光合成を志向した二段励起型光触媒反応による水を電子源とする二酸化炭素の資源化
以水为电子源，通过两步光催化反应回收二氧化碳作为电子源，以实现人工光合作用
- 批准号：
24KJ1505 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
カチオン欠陥サイトを導入した酸化物担体へのAuシングルアトム調製と触媒反応
Au单原子的制备及其在引入阳离子缺陷位点的氧化物载体上的催化反应
- 批准号：
23K26456 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
アニオン性化合物の光励起状態の電子移動のコントロールを軸にした光触媒反応への応用
在以控制阴离子化合物光激发态电子转移为中心的光催化反应中的应用
- 批准号：
24K09730 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
酵素反応・有機分子触媒反応・電気化学分析の融合による新規分析手法の確立
结合酶促反应、有机分子催化反应和电化学分析建立新的分析方法
- 批准号：
24K09752 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)