Realizing far-infrared light emitting diodes based on the gate-induced p-n junction
Realizing far-infrared light emitting diodes based on the gate-induced p-n junction
基于栅致p-n结实现远红外发光二极管
批准号：
19K03692
负责人：
Suzuki Kyoichi
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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無冷媒14 T 超伝導磁石内蔵1.5 K クライオスタットの導入と電気抵抗標準の実測
内置超导磁体的无制冷剂14T 1.5K低温恒温器介绍及电阻标准实测
内置超导磁体的无制冷剂14T 1.5K低温恒温器介绍及电阻标准实测
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
福岡工業大学総合研究機構研究所所報
影响因子：
--
作者：
[Suzuki Kyoichi, Onomitsu Koji, Kanisawa Kiyoshi, 鈴木恭一]
通讯作者：
鈴木恭一
無冷媒 14 T，1.5 K クライオスタットの導入と電気抵抗標準の測定
推出无制冷剂 14 T、1.5 K 低温恒温器和电阻测量标准
推出无制冷剂 14 T、1.5 K 低温恒温器和电阻测量标准
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 恭一, 小野満 恒二, 蟹澤 聖, 鈴木恭一]
通讯作者：
鈴木恭一
低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析
低温 STM 分析 InAs p-n 结的耗尽层
低温 STM 分析 InAs p-n 结的耗尽层
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 恭一, 小野満 恒二, 蟹澤 聖]
通讯作者：
蟹澤 聖
Cross-sectional low-temperature scanning tunneling spectroscopy of an InAs p?n junction
InAs p?n 结的横截面低温扫描隧道光谱
InAs p?n 结的横截面低温扫描隧道光谱
DOI：
10.35848/1347-4065/ac518b
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Suzuki Kyoichi, Onomitsu Koji, Kanisawa Kiyoshi]
通讯作者：
Kanisawa Kiyoshi
InGaSb/InAsトポロジカル絶縁体を用いたゲート生成p-n接合の電気伝導特性
使用 InGaSb/InAs 拓扑绝缘体的栅极生成 p-n 结的导电特性
使用 InGaSb/InAs 拓扑绝缘体的栅极生成 p-n 结的导电特性
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木ノ原佑真, 秋保貴史, 入江宏, 小野満恒二, 村木康二, 鈴木恭一]
通讯作者：
鈴木恭一
Realization of quantum spin Hall effect in electron-hole composite quantum wells
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批准号：26287068
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.56万
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财政年份：2014
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负责人：Suzuki Kyoichi
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依托单位：
海外基金