Realization of quantum spin Hall effect in electron-hole composite quantum wells
Realization of quantum spin Hall effect in electron-hole composite quantum wells
电子空穴复合量子阱中量子自旋霍尔效应的实现
批准号：
26287068
负责人：
Suzuki Kyoichi
金额：
$11.56万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Edge magnetoplasmons in InAs quantum wells investigated by time-domain measurements
通过时域测量研究 InAs 量子阱中的边缘磁等离子体
通过时域测量研究 InAs 量子阱中的边缘磁等离子体
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[太田剛, 熊田倫雄, 鈴木恭一, 小野満恒二, 村木康二]
通讯作者：
村木康二
InAs/InxGa1-xSb２次元トポロジカル絶縁体における歪みエンジニアリングによるバンドギャップの増大
通过应变工程增加 InAs/InxGa1-xSb 二维拓扑绝缘体的带隙
通过应变工程增加 InAs/InxGa1-xSb 二维拓扑绝缘体的带隙
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[秋保貴史，入江宏， F. Couedo，鈴木恭一，小野満恒二， 村木康二]
通讯作者：
秋保貴史，入江宏， F. Couedo，鈴木恭一，小野満恒二， 村木康二
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
NTT Technical Review
影响因子：
--
作者：
[鈴木恭一, 小野満恒二]
通讯作者：
小野満恒二
Local electrostatic gating in InAs/GaSb quantum wells
InAs/GaSb 量子阱中的局部静电门控
InAs/GaSb 量子阱中的局部静电门控
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Couëdo, H. Irie, T. Akiho, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki]
通讯作者：
K. Muraki
III-V 族半導体へテロ構造による２次元トポロジカル絶縁体の実現
利用III-V族半导体异质结构实现二维拓扑绝缘体
利用III-V族半导体异质结构实现二维拓扑绝缘体
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[児玉俊之, 冨田知志, 澤田桂, 細糸信好, 柳久雄, 鈴木恭一]
通讯作者：
鈴木恭一
共 26 条
Realizing far-infrared light emitting diodes based on the gate-induced p-n junction
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批准号：19K03692
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2019
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负责人：Suzuki Kyoichi
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依托单位：
海外基金