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Surface passivation and insulated gate structures for nitride-based semiconductor devices using mist-CVD method
使用雾气CVD法的氮化物基半导体器件的表面钝化和绝缘栅结构
基本信息
- 批准号：19K04473
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（22）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Motoyama;Z. Yatabe;Y. Nakamura;A. Baratov;R. S. Low;S. Urano;J. T. Asubar;M. Kuzuhara
- 通讯作者：M. Kuzuhara
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara
- 通讯作者：M. Kuzuhara
ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
雾气CVD法制备Al2O3薄膜及其在GaN基MIS-HEMT中的应用
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：本山 智洋;Ali Baratov;Rui Shan Low;浦野 駿;中村 有水;葛原 正明;Joel T. Asubar;谷田部 然治
- 通讯作者：谷田部 然治
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
采用 Mist-CVD 法使用 Al2O3 绝缘膜的 AlGaN/GaN MIS-HEMT 的电特性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：ロー ルイ シャン;永瀬 樹;バラトフ アリ;アスバル ジョエル タクラ;徳田 博邦;葛原 正明;谷田部 然治;内藤 健太;本山 智洋;中村 有水
- 通讯作者：中村 有水
GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique
采用低成本、环保的雾气 CVD 技术沉积的具有 Al2O3 电介质的 GaN 基 MIS-HEMT
- DOI：10.35848/1882-0786/abe19e
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Rui Shan Low;Joel T. Asubar;Ali Baratov;Shunsuke Kamiya;Itsuki Nagase;Shun Urano;Shinsaku Kawabata;Hirokuni Tokuda;Masaaki Kuzuhara;Yusui Nakamura;Kenta Naito;Tomohiro Motoyama;Zenji Yatabe
- 通讯作者：Zenji Yatabe
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Characterization and control of insulator/AlGaN interface for power device application
功率器件应用绝缘体/AlGaN 界面的表征和控制
- 批准号：
15K18034 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用
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- 批准号：
13F03502 - 财政年份：2013
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$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
11J03090 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高誘電率ゲート絶縁膜を用いた低電圧動作有機トランジスタの作製
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- 批准号：
11J07982 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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下一代超大规模集成电路稀土基高介电常数栅绝缘膜/拉伸应变锗结构的构建
- 批准号：
11J06058 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ゲルマニウム/高誘電率ゲート絶縁膜界面の電子物性及び材料物性的理解と制御の研究
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- 批准号：
11J09337 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows