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Surface passivation and insulated gate structures for nitride-based semiconductor devices using mist-CVD method

Surface passivation and insulated gate structures for nitride-based semiconductor devices using mist-CVD method
使用雾气CVD法的氮化物基半导体器件的表面钝化和绝缘栅结构
批准号：
19K04473
负责人：
Yatabe Zenji
金额：
$2.75万
依托单位：
Kumamoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04473/
关键词：
ミストCVDゲート絶縁膜表面パッシベーション窒化物半導体高電子移動度トランジスタパワーデバイス高周波デバイス窒化ガリウム電子準位トランジスタ

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Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Motoyama, Z. Yatabe, Y. Nakamura, A. Baratov, R. S. Low, S. Urano, J. T. Asubar, M. Kuzuhara]
通讯作者： M. Kuzuhara
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara]
通讯作者： M. Kuzuhara
ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
雾气CVD法制备Al2O3薄膜及其在GaN基MIS-HEMT中的应用
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [本山 智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野 駿, 中村 有水, 葛原 正明, Joel T. Asubar, 谷田部 然治]
通讯作者： 谷田部 然治
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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [ロー ルイ シャン, 永瀬 樹, バラトフ アリ, アスバル ジョエル タクラ, 徳田 博邦, 葛原 正明, 谷田部 然治, 内藤 健太, 本山 智洋, 中村 有水]
通讯作者： 中村 有水
共 21 条
    Characterization and control of insulator/AlGaN interface for power device application
    • 批准号：
      15K18034
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Yatabe Zenji
    • 依托单位：
      Kumamoto University
    海外基金