Characterization and control of insulator/AlGaN interface for power device application
功率器件应用绝缘体/AlGaN 界面的表征和控制
基本信息
- 批准号:15K18034
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
- DOI:10.7567/jjap.53.100213
- 发表时间:2014-09
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume
- 通讯作者:Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume
Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
改善多台面通道 AlGaN/GaN HEMT 的线性度、稳定性和热性能
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. T. Asubar;H. Tokuda;M;Kuzuhara;Z. Yatabe;K. Nishiguchi;and T. Hashizume
- 通讯作者:and T. Hashizume
Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures
- DOI:10.1063/1.4952708
- 发表时间:2016-05
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:M. Matys;R. Stoklas;J. Kuzmík;B. Adamowicz;Zenji Yatabe;T. Hashizume
- 通讯作者:M. Matys;R. Stoklas;J. Kuzmík;B. Adamowicz;Zenji Yatabe;T. Hashizume
Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
表面充电和界面态对 GaN HEMT 电流稳定性的影响
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Hashizume;Z. Yatabe;K. Nishiguchi
- 通讯作者:K. Nishiguchi
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62460118 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
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- 批准号:
61550019 - 财政年份:1986
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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- 批准号:
57750247 - 财政年份:1982
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$ 2.66万 - 项目类别:
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56750202 - 财政年份:1981
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