Characterization and control of insulator/AlGaN interface for power device application
Characterization and control of insulator/AlGaN interface for power device application
功率器件应用绝缘体/AlGaN 界面的表征和控制
批准号：
15K18034
负责人：
Yatabe Zenji
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.7567/jjap.53.100213
发表时间：
2014-09
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume]
通讯作者：
Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume
Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
改善多台面通道 AlGaN/GaN HEMT 的线性度、稳定性和热性能
改善多台面通道 AlGaN/GaN HEMT 的线性度、稳定性和热性能
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. T. Asubar, H. Tokuda, M, Kuzuhara, Z. Yatabe, K. Nishiguchi, and T. Hashizume]
通讯作者：
and T. Hashizume
DOI：
10.1063/1.4952708
发表时间：
2016-05
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[M. Matys;R. Stoklas;J. Kuzmík;B. Adamowicz;Zenji Yatabe;T. Hashizume]
通讯作者：
M. Matys;R. Stoklas;J. Kuzmík;B. Adamowicz;Zenji Yatabe;T. Hashizume
Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
表面充电和界面态对 GaN HEMT 电流稳定性的影响
表面充电和界面态对 GaN HEMT 电流稳定性的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
Proceedings of the 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
影响因子：
--
作者：
[T. Hashizume, Z. Yatabe, K. Nishiguchi]
通讯作者：
K. Nishiguchi
Researchmap
研究地图
研究地图
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 20 条
Surface passivation and insulated gate structures for nitride-based semiconductor devices using mist-CVD method
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批准号：19K04473
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Yatabe Zenji
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依托单位：
海外基金