Characterization and control of insulator/AlGaN interface for power device application

功率器件应用绝缘体/AlGaN 界面的表征和控制

基本信息

  • 批准号:
    15K18034
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
  • DOI:
    10.7567/jjap.53.100213
  • 发表时间:
    2014-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume
  • 通讯作者:
    Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume
Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs
改善多台面通道 AlGaN/GaN HEMT 的线性度、稳定性和热性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. T. Asubar;H. Tokuda;M;Kuzuhara;Z. Yatabe;K. Nishiguchi;and T. Hashizume
  • 通讯作者:
    and T. Hashizume
Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures
  • DOI:
    10.1063/1.4952708
  • 发表时间:
    2016-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    M. Matys;R. Stoklas;J. Kuzmík;B. Adamowicz;Zenji Yatabe;T. Hashizume
  • 通讯作者:
    M. Matys;R. Stoklas;J. Kuzmík;B. Adamowicz;Zenji Yatabe;T. Hashizume
Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
表面充电和界面态对 GaN HEMT 电流稳定性的影响
Researchmap
研究地图
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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    $ 2.66万
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  • 资助金额:
    $ 2.66万
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  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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