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Study on high efficiency light emitting based on rare earth doped widegap oxide semiconductors

Study on high efficiency light emitting based on rare earth doped widegap oxide semiconductors
基于稀土掺杂宽禁带氧化物半导体的高效发光研究
批准号：
19K04492
负责人：
GUO QIXIN
金额：
$2.75万
依托单位：
Saga University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04492/
关键词：
化合物半導体希土類元素発光特性ワイドギャップ

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发表时间： 2020
期刊：
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通讯作者： Qixin GUO
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通讯作者： Gaofeng Deng;Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;Q. Guo
共 19 条
    Study on n type doping of gallium oxide wide bandgap semiconductors
    • 批准号：
      16K06268
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      GUO QIXIN
    • 依托单位：
      Saga University
    海外基金