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Study on n type doping of gallium oxide wide bandgap semiconductors

Study on n type doping of gallium oxide wide bandgap semiconductors
氧化镓宽带隙半导体n型掺杂研究
批准号：
16K06268
负责人：
GUO QIXIN
金额：
$3.08万
依托单位：
Saga University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06268/
关键词：
化合物半導体電気特性ワイドギャップ電子・電気材料

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佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
佐贺大学同步加速器光应用研究中心
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
1.Characteristics of gallium oxide films grown by oxygen plasma assisted pulsed laser deposition
1.氧等离子体辅助脉冲激光沉积生长氧化镓薄膜的特性
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [C. Hu, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo]
通讯作者： and Q. Guo
Toward controlling the carrier density of Si doped Ga2O3 films by pulsed laser deposition
DOI： 10.1063/1.4962463
发表时间： 2016-09-05
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Zhang, Fabi, Arita, Makoto, Guo, Qixin]
通讯作者： Guo, Qixin
2.Characteristics of gallium oxide based wide bandgap semiconductors
2.氧化镓基宽带隙半导体的特性
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Fabi Zhang , Makoto Arita , Xu Wang , Zhengwei Chen , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Teruaki Motooka , Qixin Guo*, Qixin GUO, Qixin GUO, Qixin GUO, Qixin GUO]
通讯作者： Qixin GUO
共 11 条
    Study on high efficiency light emitting based on rare earth doped widegap oxide semiconductors
    • 批准号：
      19K04492
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      GUO QIXIN
    • 依托单位：
      Saga University
    海外基金