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High-temperature sputter epitaxy of GaN-based single-crystalline layers and its device application
氮化镓基单晶高温溅射外延及其器件应用
基本信息
- 批准号：19K05276
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム
特高压溅射外延法生长GaN层的机理
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：齋藤 元希;吉田 圭佑;篠田 宏之;六倉 信喜
- 通讯作者：六倉 信喜
UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅱ）
特高压溅射外延法生长AlN层（二）
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岩元 正紀;長田 拓也;福田 直樹;水野 愛;安藤 毅;篠田 宏之;六倉 信喜
- 通讯作者：六倉 信喜
GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅳ)
GaN层表面污染研究（IV）
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：水野 愛;福田 直樹;岩元 正紀;長田 拓也;篠田 宏之;六倉 信喜
- 通讯作者：六倉 信喜
UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長
超高真空溅射外延法生长GaN层
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：福田 直樹;岩元 正紀;長田 拓也;水野 愛;安藤 毅;篠田 宏之;六倉 信喜
- 通讯作者：六倉 信喜
UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅰ）
特高压溅射外延法生长AlN层（一）
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長田 拓也;岩元 正紀;福田 直樹;水野 愛;安藤 毅;篠田 宏之;六倉 信喜
- 通讯作者：六倉 信喜
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Mutsukura Nobuki其他文献
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