High-temperature sputter epitaxy of GaN-based single-crystalline layers and its device application
High-temperature sputter epitaxy of GaN-based single-crystalline layers and its device application
氮化镓基单晶高温溅射外延及其器件应用
批准号：
19K05276
负责人：
Mutsukura Nobuki
金额：
$2.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム
特高压溅射外延法生长GaN层的机理
特高压溅射外延法生长GaN层的机理
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[齋藤 元希, 吉田 圭佑, 篠田 宏之, 六倉 信喜]
通讯作者：
六倉 信喜
UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅱ）
特高压溅射外延法生长AlN层（二）
特高压溅射外延法生长AlN层（二）
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩元 正紀, 長田 拓也, 福田 直樹, 水野 愛, 安藤 毅, 篠田 宏之, 六倉 信喜]
通讯作者：
六倉 信喜
GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅳ)
GaN层表面污染研究（IV）
GaN层表面污染研究（IV）
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水野 愛, 福田 直樹, 岩元 正紀, 長田 拓也, 篠田 宏之, 六倉 信喜]
通讯作者：
六倉 信喜
UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長
超高真空溅射外延法生长GaN层
超高真空溅射外延法生长GaN层
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福田 直樹, 岩元 正紀, 長田 拓也, 水野 愛, 安藤 毅, 篠田 宏之, 六倉 信喜]
通讯作者：
六倉 信喜
UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅰ）
特高压溅射外延法生长AlN层（一）
特高压溅射外延法生长AlN层（一）
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長田 拓也, 岩元 正紀, 福田 直樹, 水野 愛, 安藤 毅, 篠田 宏之, 六倉 信喜]
通讯作者：
六倉 信喜
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