课题基金 / 基金详情

Bond engineering for quantum dot formation in nitride semiconductors

Bond engineering for quantum dot formation in nitride semiconductors
氮化物半导体中量子点形成的键合工程
批准号：
19K05268
负责人：
Ito Tomonori
金额：
$2.75万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K05268/
关键词：
量子ドット形成機構窒化物半導体計算機シミュレーション

项目摘要

项目成果

Ito Tomonori的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(52)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces
基于从头计算的 4H-SiC/SiO2 界面反应过程方法
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Toru Akiyama, T. Shimizu, Tomonori Ito, H. Kageshima, K. Shiraishi]
通讯作者： K. Shiraishi
Structures and stability of GaN/Ga2O3 interfaces: a first-principles study
GaN/Ga2O3 界面的结构和稳定性：第一性原理研究
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Fumiaki Hishiki, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, and Tomonori Ito]
通讯作者： and Tomonori Ito
有機金属気相エピタキシー成長条におけるGaN複合ファセット上での吸着Ga原子の振る舞い
有机金属气相外延生长条中 GaN 复合晶面上吸附 Ga 原子的行为
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [永井勝也, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 相可拓巳，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳, 瀬田雄基，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳]
通讯作者： 瀬田雄基，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳
計算材料科学で識る窒化物半導体のナノ構造・エピタキシャル成長
通过计算材料科学了解氮化物半导体的纳米结构和外延生长
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [永井勝也, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 相可拓巳，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳, 瀬田雄基，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳, 永井勝也，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳, 秋山亨，相可拓巳，瀬田雄基，中村浩次，伊藤智徳, 清水紀志，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳，草場彰，寒川義裕, 瀬田雄基，Abdul-Muizz Pradipto，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳, 永井勝也，積木伸之介，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳, 相可拓巳，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳, 伊藤智徳，秋山亨，中村浩次]
通讯作者： 伊藤智徳，秋山亨，中村浩次
共 47 条
    Bond engineering in quantum dot formation mechanism
    • 批准号：
      16K04962
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Ito Tomonori
    • 依托单位：
      Mie University
    海外基金