刷新
{{item.name}}会员
Bond engineering for quantum dot formation in nitride semiconductors
氮化物半导体中量子点形成的键合工程
基本信息
- 批准号：19K05268
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（52）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
有機金属気相エピタキシー成長条におけるGaN複合ファセット上での吸着Ga原子の振る舞い
有机金属气相外延生长条中 GaN 复合晶面上吸附 Ga 原子的行为
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永井勝也;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳;相可拓巳，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳;瀬田雄基，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳
- 通讯作者：瀬田雄基，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳
計算材料科学で識る窒化物半導体のナノ構造・エピタキシャル成長
通过计算材料科学了解氮化物半导体的纳米结构和外延生长
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永井勝也;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳;相可拓巳，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳;瀬田雄基，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳;永井勝也，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳;秋山亨，相可拓巳，瀬田雄基，中村浩次，伊藤智徳;清水紀志，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳，草場彰，寒川義裕;瀬田雄基，Abdul-Muizz Pradipto，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳;永井勝也，積木伸之介，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳;相可拓巳，秋山亨，Abdul-Muizz Pradipto，中村浩次，伊藤智徳;伊藤智徳，秋山亨，中村浩次
- 通讯作者：伊藤智徳，秋山亨，中村浩次
Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces
基于从头计算的 4H-SiC/SiO2 界面反应过程方法
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toru Akiyama;T. Shimizu;Tomonori Ito;H. Kageshima;K. Shiraishi
- 通讯作者：K. Shiraishi
Structures and stability of GaN/Ga2O3 interfaces: a first-principles study
GaN/Ga2O3 界面的结构和稳定性：第一性原理研究
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Fumiaki Hishiki;Toru Akiyama;Takahiro Kawamura;and Tomonori Ito
- 通讯作者：and Tomonori Ito
Computational materials science for nitride semiconductor epitaxial growth
氮化物半导体外延生长的计算材料科学
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takumi Ohka;Toru Akiyama;Abdul-Muizz Pradipto;Kohji Nakamura;Tomonori Ito;Tomonori Ito
- 通讯作者：Tomonori Ito
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Ito Tomonori其他文献
原子状水素曝露によるチタニアナノ粒子 の構造変化
由于原子氢暴露导致二氧化钛纳米颗粒的结构变化
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Seta Yuki;Pradipto Abdul-Muizz;Akiyama Toru;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;金表面笠原奈央，小林卓也，谷口淳子，鈴木勝，佐々木成朗，石川誠，三浦浩治;藤本 将秀，松本 益明，山﨑史也，長塚 直樹，福谷 克之 - 通讯作者：
藤本 将秀，松本 益明，山﨑史也，長塚 直樹，福谷 克之
Absolute surface energies of semipolar planes of AlN during metalorganic vapor phase epitaxy growth
金属有机气相外延生长过程中AlN半极性面的绝对表面能
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.12.011 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Seta Yuki;Akiyama Toru;Pradipto Abdul Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori - 通讯作者：
Ito Tomonori
Theoretical Investigations for Strain Relaxation and Growth Mode of InAs Thin Layers on GaAs(110)
GaAs(110)上InAs薄层应变弛豫和生长模式的理论研究
- DOI：
10.1002/pssb.201700241 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ito Tomonori;Akiyama Toru;Nakamura Kohji - 通讯作者：
Nakamura Kohji
Theoretical investigations on the structural stability and miscibility in BAlN and BGaN alloys: bond-order interatomic potential calculations
BAlN 和 BGaN 合金结构稳定性和混溶性的理论研究：键序原子间势计算
- DOI：
10.7567/1347-4065/ab06af - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Hasegawa Yuya;Akiyama Toru;Pradipto Abdul-Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori - 通讯作者：
Ito Tomonori
Quantum transport, electronic properties and molecular adsorptions in graphene
石墨烯中的量子输运、电子特性和分子吸附
- DOI：
10.1142/s0217984921300015 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：
Akiyama Toru;Tsuboi Yuma;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;Fujimoto Yoshitaka - 通讯作者：
Fujimoto Yoshitaka
Ito Tomonori的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ito Tomonori', 18)}}的其他基金
Bond engineering in quantum dot formation mechanism
量子点形成机制中的键工程
- 批准号：
16K04962 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
- 批准号：
23K21082 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
希薄窒化物半導体発光層の複層化による室温での電界駆動超高速偏光変調の実現
多层稀氮化物半导体发光层实现室温电场驱动超快偏振调制
- 批准号：
24KJ0297 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号：
23K22815 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
氮化物半导体选择性极性反转技术的构建及其在n型和p型区域同时形成中的应用研究
- 批准号：
24H00425 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
用于光量子计算的氮化物半导体单片光集成器件研究
- 批准号：
23K26572 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以有效利用半导体器件废热
- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
- 批准号：
24K00913 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)