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Bond engineering in quantum dot formation mechanism

量子点形成机制中的键工程

基本信息

批准号：
16K04962
负责人：
Ito Tomonori
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Advances in Computer Simulation Studies and Crystal Growth

计算机模拟研究和晶体生长的进展

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiroki Nada;Tomonori Ito;Toru Akiyama他
通讯作者：
Toru Akiyama他

Atomistic behaviour of (n ×3)-reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition

生长条件下InAs-GaAs(001)表面(n×3)重建区域的原子行为

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.009
发表时间：
2017
期刊：
Journal Crystal Growth
影响因子：
0
作者：
Konishi Tomoya;Tsukamoto Shiro;Ito Tomonoroi;Akiyama Toru;Kaida Ryo
通讯作者：
Kaida Ryo

Size evolution of (n×3) reconstructed domains on growing InAs-GaAs(001) surface

生长InAs-GaAs(001)表面上(n×3)重构域的尺寸演变

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tomoya Konishi;Shiro Tsukamoto;Tomonori Ito;Toru Akiyama;Ryo Kaida
通讯作者：
Ryo Kaida

Theoretical Investigations for Surface Reconstructions of Submonolayer InAs Grown on GaAs(001)

GaAs(001)上生长的亚单层InAs表面重构的理论研究

DOI：
10.1002/pssa.201800476
发表时间：
2018
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
0
作者：
Ito Tomonori;Akiyama Toru;Nakamura Kohji;Pradipto Abdul-Muizz
通讯作者：
Pradipto Abdul-Muizz

Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth

基于从头计算的半导体异质外延生长新行为的方法

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.03.010
发表时间：
2017
期刊：
Journal Crystal Growth
影响因子：
0
作者：
Ito Tomonori;Akiyama Toru;Nakamura Kohji
通讯作者：
Nakamura Kohji

DOI：
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作者：
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Ito Tomonori其他文献

原子状水素曝露によるチタニアナノ粒子の構造変化

由于原子氢暴露导致二氧化钛纳米颗粒的结构变化

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Seta Yuki;Pradipto Abdul-Muizz;Akiyama Toru;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;金表面笠原奈央，小林卓也，谷口淳子，鈴木勝，佐々木成朗，石川誠，三浦浩治;藤本将秀，松本益明，山﨑史也，長塚直樹，福谷克之
通讯作者：
藤本将秀，松本益明，山﨑史也，長塚直樹，福谷克之

Absolute surface energies of semipolar planes of AlN during metalorganic vapor phase epitaxy growth

金属有机气相外延生长过程中AlN半极性面的绝对表面能

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.12.011
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Seta Yuki;Akiyama Toru;Pradipto Abdul Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori
通讯作者：
Ito Tomonori

Theoretical investigations on the structural stability and miscibility in BAlN and BGaN alloys: bond-order interatomic potential calculations

BAlN 和 BGaN 合金结构稳定性和混溶性的理论研究：键序原子间势计算

DOI：
10.7567/1347-4065/ab06af
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Hasegawa Yuya;Akiyama Toru;Pradipto Abdul-Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori
通讯作者：
Ito Tomonori

Quantum transport, electronic properties and molecular adsorptions in graphene

石墨烯中的量子输运、电子特性和分子吸附

DOI：
10.1142/s0217984921300015
发表时间：
2021
期刊：
Modern Physics Letters B
影响因子：
1.9
作者：
Akiyama Toru;Tsuboi Yuma;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;Fujimoto Yoshitaka
通讯作者：
Fujimoto Yoshitaka

Theoretical investigations on the growth mode of GaN thin films on an AlN(0001) substrate

AlN(0001)衬底上GaN薄膜生长模式的理论研究

DOI：
10.7567/1347-4065/ab06b1
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Tsumuki Shinnosuke;Akiyama Toru;Pradipto Abdul-Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori
通讯作者：
Ito Tomonori