Bond engineering in quantum dot formation mechanism
Bond engineering in quantum dot formation mechanism
批准号:
16K04962
负责人:
Ito Tomonori
金额:
$3.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Advances in Computer Simulation Studies and Crystal Growth
计算机模拟研究和晶体生长的进展
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroki Nada, Tomonori Ito, Toru Akiyama他]
通讯作者:
Toru Akiyama他
Atomistic behaviour of (n ×3)-reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition
生长条件下InAs-GaAs(001)表面(n×3)重建区域的原子行为
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.009
发表时间:
2017
期刊:
Journal Crystal Growth
影响因子:
--
作者:
[Konishi Tomoya, Tsukamoto Shiro, Ito Tomonoroi, Akiyama Toru, Kaida Ryo]
通讯作者:
Kaida Ryo
Size evolution of (n×3) reconstructed domains on growing InAs-GaAs(001) surface
生长InAs-GaAs(001)表面上(n×3)重构域的尺寸演变
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tomoya Konishi, Shiro Tsukamoto, Tomonori Ito, Toru Akiyama, Ryo Kaida]
通讯作者:
Ryo Kaida
Theoretical Investigations for Surface Reconstructions of Submonolayer InAs Grown on GaAs(001)
GaAs(001)上生长的亚单层InAs表面重构的理论研究
DOI:
10.1002/pssa.201800476
发表时间:
2018
期刊:
physica status solidi (a)
影响因子:
--
作者:
[Ito Tomonori, Akiyama Toru, Nakamura Kohji, Pradipto Abdul-Muizz]
通讯作者:
Pradipto Abdul-Muizz
Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth
基于从头计算的半导体异质外延生长新行为的方法
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2017.03.010
发表时间:
2017
期刊:
Journal Crystal Growth
影响因子:
--
作者:
[Ito Tomonori, Akiyama Toru, Nakamura Kohji]
通讯作者:
Nakamura Kohji
共 26 条
Bond engineering for quantum dot formation in nitride semiconductors
-
批准号:19K05268
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额:$2.75万
-
财政年份:2019
-
负责人:Ito Tomonori
-
依托单位:
海外基金