Untersuchung der Degradation von nanostrukturierten MOS-Bauelementen mit atomistischen Simulationen und statistischen Messungen

使用原子模拟和统计测量研究纳米结构 MOS 器件的退化

• 批准号: 34119186
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Wolfgang Krautschneider
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nano- und Medizinelektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/34119186?language=en
• 关键词: Untersuchung; der; Degradation; von; nanostrukturierten

Ziel dieses Vorhabens ist die Untersuchung und genaue Beschreibung der physikalischen Mechanismen, die zur Degradation des Dielektrikums von MOSBauelementen durch Tunnelströme führen. Diese Ströme erreichen bei den nur wenige Atomlagen dicken Gatedielektrika moderner CMOS-Technologien vergleichsweise hohe Werte. Mit einem atomistischen Ansatz sollen die Veränderungen und Schädigungen der Atom- und Bindungsstruktur aufgrund des Stromflusses und der Feldeinwirkungen sowie die dadurch verursachte lokale Erhöhung der Leitfähigkeit ermittelt werden. Daraus sollen dann die zeitabhängigen Wahrscheinlichkeiten dafür bestimmt werden, dass Schädigungen in einer Reihe liegen und so einen Durchbruchskanal durch das Dielektrikum formen. Weiterhin sollen mit Hilfe eines zu entwickelnden integrierten Schaltkreises in 90nm-CMOS-Technologie, der aus einer sehr großen Anzahl matrixförmig angeordneter Teststrukturen besteht, Kurzzeit- und Langzeitstresstests durchgeführt werden, um die zeitabhängige Durchbruchswahrscheinlichkeit experimentell zu ermitteln und die Simulationsergebnisse kalibrieren und verifizieren zu können.

他说：“我不能理解你的意思，我不能理解你的意思，因为你不能理解我的想法。这是一种新的技术，也是最好的选择。他说：“这是一件非常重要的事情，我不知道该怎么做。他说：“我不知道这件事是怎么回事，我不知道这是怎么回事。在90 nm-cmos-工艺中，我们把Schaltkreise集成在一起，然后再从矩阵中找出测试的目标，然后用语言测试数据，然后再进行实验。