Clarification of ionization process on high power impulse magnetron sputtering
Clarification of ionization process on high power impulse magnetron sputtering
高功率脉冲磁控溅射电离过程的澄清
批准号：
18K03602
负责人：
Ohta Takayuki
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Plasma Processing with Feedback Control of Wafer Temperature By Non-Contact Temperature Measurement System
通过非接触式温度测量系统对晶圆温度进行反馈控制的等离子体处理
通过非接触式温度测量系统对晶圆温度进行反馈控制的等离子体处理
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Tsutsumi, H. Kondo, K. Ishikawa , K. Takeda, T. Ohta, M. Sekine, M. Ito, and M. Hori]
通讯作者：
and M. Hori
DLC成膜用カーボンHiPIMSのプラズマ診断(2)～パルス幅の効果
碳 HiPIMS 的等离子体诊断对 DLC 成膜的影响 (2) ~ 脉冲宽度的影响
碳 HiPIMS 的等离子体诊断对 DLC 成膜的影响 (2) ~ 脉冲宽度的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[太田 貴之，松島 丈, 小田 昭紀，上坂 裕之]
通讯作者：
小田 昭紀，上坂 裕之
Effect of Pulse Width on High Power Impulse Magnetron Sputtering for Deposition of Diamond-Like Carbon Thin Films
脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射沉积类金刚石碳薄膜的影响
脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射沉积类金刚石碳薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jo Matsushima, Yuichi Murakami, Akinori Oda, Hiroyuki Kousaka and Takayuki Ohta]
通讯作者：
Hiroyuki Kousaka and Takayuki Ohta
HiPIMSを用いたDLC成膜プロセスにおけるプラズマ診断と膜質評価～低摩擦化を目指して～
使用 HiPIMS 进行 DLC 成膜过程中的等离子体诊断和膜质量评价 - 以低摩擦为目标 -
使用 HiPIMS 进行 DLC 成膜过程中的等离子体诊断和膜质量评价 - 以低摩擦为目标 -
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[太田 貴之, 松島 丈, 村上 祐一, 小田 昭紀, 上坂 裕之, Michihisa Takeuchi, 太田 貴之]
通讯作者：
太田 貴之
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jo Matsushima, Kazunori Iga, Akinori Oda, Hiroyuki Kousaka, and Takayuki Ohta]
通讯作者：
and Takayuki Ohta
共 34 条
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