Growth of SiC bulk crystals by chemical vapor deposition
Growth of SiC bulk crystals by chemical vapor deposition
通过化学气相沉积法生长 SiC 块状晶体
批准号：
18K04252
负责人：
Masumoto Keiko
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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4H-SiC C面 on-axis基板上の厚膜エピタキシャル成長
4H-SiC C 面同轴衬底上的厚膜外延生长
4H-SiC C 面同轴衬底上的厚膜外延生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[升本恵子, 児島一聡, 奥村元]
通讯作者：
奥村元
SiC on-axisエピタキシャル層を用いた自立基板の作製と3Cインクルージョン発生原因の評価
SiC同轴外延层自支撑衬底的制作及3C夹杂物成因评价
SiC同轴外延层自支撑衬底的制作及3C夹杂物成因评价
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[升本恵子, 児島一聡, 奥村元]
通讯作者：
奥村元
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