SiC on-axisエピタキシャル層を用いた自立基板の作製と3Cインクルージョン発生原因の評価
SiC on-axisエピタキシャル層を用いた自立基板の作製と3Cインクルージョン発生原因の評価
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SiC同轴外延层自支撑衬底的制作及3C夹杂物成因评价
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
奥村元
中科院分区：
文献类型：
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作者：
升本恵子;児島一聡;奥村元
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影响因子：
1.5
作者：
T. Ohshima;K. K. Lee-K.;Y. Ishida;K. Kojima;Yasunori Tanaka;Tetsuo Takahashi;M. Yoshikawa;H. Okumura;K. Arai;T. Kamiya
通讯作者：
T. Ohshima;K. K. Lee-K.;Y. Ishida;K. Kojima;Yasunori Tanaka;Tetsuo Takahashi;M. Yoshikawa;H. Okumura;K. Arai;T. Kamiya
3C-SiC 和 4H-SiC 功率 MOSFET 的比较
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.774
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
B. van Zeghbroeck;H. Fardi
通讯作者：
H. Fardi
影响因子：
1.6
作者：
Nagasawa, Hiroyuki;Abe, Masayuki;Hatta, Naoki
通讯作者：
Hatta, Naoki
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.693
发表时间：
2005-01-01
期刊：
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004
影响因子：
--
作者：
Ciobanu, F;Pensl, G;Schöner, A
通讯作者：
Schöner, A
影响因子：
1.5
作者：
T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto