Study on high efficiency AlGaN UVC-LED with oxide semiconductor tunelling junction
Study on high efficiency AlGaN UVC-LED with oxide semiconductor tunelling junction
氧化物半导体调谐结高效AlGaN UVC-LED的研究
批准号：
18K04226
负责人：
uchida kazuo
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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正孔注入促進に向けたp-AlGaN/n-ZnOトンネル接合のバンド構造解析
p-AlGaN/n-ZnO 隧道结能带结构分析促进空穴注入
p-AlGaN/n-ZnO 隧道结能带结构分析促进空穴注入
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浮田 駿, 田尻 武義, 内田 和男]
通讯作者：
内田 和男
High-Al content AlGaN pn diode with p-AlGaN improved by the UV wet oxidation
高铝含量 AlGaN pn 二极管，采用 UV 湿法氧化改进的 p-AlGaN
高铝含量 AlGaN pn 二极管，采用 UV 湿法氧化改进的 p-AlGaN
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xiaojia Zhang, Jun Morimoto, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki]
通讯作者：
and Shinji Nozaki
p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価
p型接触层中带有n-ZnO隧道层的AlGaN基pn二极管的制造和电学评估
p型接触层中带有n-ZnO隧道层的AlGaN基pn二极管的制造和电学评估
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[孫 錚，森元 諄, 大黒 将也,田尻 武義, 内田 和男]
通讯作者：
内田 和男
p型コンタクト層にn-ZnO層を接合したAlGaN系pnダイオードのEL特性評価
n-ZnO 层与 p 型接触层键合的 AlGaN 基 pn 二极管的 EL 特性评估
n-ZnO 层与 p 型接触层键合的 AlGaN 基 pn 二极管的 EL 特性评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[孫 錚, 王 新磊, 森元 諄, 田尻 武義, 内田 和男]
通讯作者：
内田 和男
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