Development of basic process for fabrication of large single crystals of hexagonal boron nitride in wafer shape
晶圆状大尺寸六方氮化硼单晶制造基本工艺的开发
基本信息
- 批准号:18K04231
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate
c面蓝宝石衬底上CVD生长六方氮化硼发光性能的改善
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kazuhiko Hara;Naoki Umehara;Kohei Shima;Kazunobu Kojima and Shigefusa F. Chichibu
- 通讯作者:Kazunobu Kojima and Shigefusa F. Chichibu
LUMINESCENCE SPECTRA OF HEXAGONAL BN THIN FILMS GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON A c-PLANE Al2O3 SUBSTRATE
c 面 Al2O3 基板上化学气相沉积六方氮化硼薄膜的发光光谱
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. F. Chichibu;N. Umehara;K. Shima;K. Kojima and K. Hara
- 通讯作者:K. Kojima and K. Hara
Chemical vapor deposition of GaN films using gallium vapor as a gallium source on a c-plane sapphire substrate
使用镓蒸气作为镓源在 c 面蓝宝石衬底上化学气相沉积 GaN 薄膜
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Hara;Y. Masuda;W. Kunieda;H. Kominami
- 通讯作者:H. Kominami
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス
蓝宝石衬底上气相生长的 h-BN 薄膜的发射动力学
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:秩父 重英;嶋 紘平;梅原 直己;小島 一信;原 和彦
- 通讯作者:原 和彦
Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride thin films on a Si substrate
Si 衬底上化学气相沉积六方氮化硼薄膜
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kazuhiko Hara;T. Nakama;K. Matsushita;T. Watanabe;H. Kominami
- 通讯作者:H. Kominami
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Hara Kazuhiko其他文献
Investigation of radiation hardness improvement by applying back-gate bias for FD-SOI MOSFETs
通过对 FD-SOI MOSFET 施加背栅偏压来改善辐射硬度的研究
- DOI:
10.1016/j.nima.2018.05.068 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kurachi Ikuo;Kobayashi Kazuo;Okihara Masao;Kasai Hiroki;Hatsui Takaki;Hara Kazuhiko;Miyoshi Toshinobu;Arai Yasuo - 通讯作者:
Arai Yasuo
FASER実験:LHC-Run3での未知粒子探索および高エネルギーニュートリノ測定に向けたストリップ型シリコン検出器の開発
FASER实验:开发条形硅探测器,用于LHC-Run3未知粒子搜索和高能中微子测量
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Murayama Hitoshi;Hara Kazuhiko;Yamauchi Hiroki;Abe Ryuhei;Iwanami Shikie;Watanabe Kevin;Okada Yui;Tsuboyama Toru;Arai Yasuo;Miyoshi Toshinobu;Kurachi Ikuo;Haba Junji;Togawa Manabu;Ikegami Yoichi;Nishimura Ryutaro;Ishikawa Akimasa;Ono Shun;Li Taohan;Yamada;音野瑛俊 - 通讯作者:
音野瑛俊
Optimization of capacitively coupled Low Gain Avalanche Diode (AC-LGAD) sensors for precise time and spatial resolution
优化电容耦合低增益雪崩二极管 (AC-LGAD) 传感器以实现精确的时间和空间分辨率
- DOI:
10.1016/j.nima.2022.168009 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kita Sayuka;Nakamura Koji;Ueda Tatsuki;Goya Ikumi;Hara Kazuhiko - 通讯作者:
Hara Kazuhiko
Shallow electron traps formed by Gd2+ ions adjacent to oxygen vacancies in cerium-doped Gd3Al2Ga3O12 crystals
掺铈 Gd3Al2Ga3O12 晶体中邻近氧空位的 Gd2 离子形成的浅电子陷阱
- DOI:
10.1063/1.5043218 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:
Kitaura Mamoru;Watanabe Shinta;Kamada Kei;Jin Kim Kyoung;Yoshino Masao;Kurosawa Shunsuke;Yagihashi Toru;Ohnishi Akimasa;Hara Kazuhiko - 通讯作者:
Hara Kazuhiko
First Prototype of Finely Segmented HPK AC-LGAD Detectors
第一个精细分段 HPK AC-LGAD 探测器原型
- DOI:
10.7566/jpscp.34.010016 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nakamura Koji;Kita Sayuka;Ueda Tatsuki;Hara Kazuhiko;Suzuki Hisanori - 通讯作者:
Suzuki Hisanori
Hara Kazuhiko的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Hara Kazuhiko', 18)}}的其他基金
Realisation of 4D Semiconductor Tracker with Fine Spatial and Time Resolutions
实现具有精细空间和时间分辨率的 4D 半导体跟踪器
- 批准号:
19H04393 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of a system to support evaluation of prosthetic socket adaptation
开发支持评估假肢接受腔适应性的系统
- 批准号:
16K01558 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Construction of the three-dimensional shape evaluation system for the prosthesis socket fit evaluation
假肢接受腔贴合度评价三维形状评价系统的构建
- 批准号:
25350673 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
強磁場化学気相法を用いたYBCO膜の組織制御による臨界電流密度特性の研究
强磁场化学气相法控制YBCO薄膜结构的临界电流密度特性研究
- 批准号:
15760213 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機金属化学気相法によるp-n接合テルル化亜鉛発光素子の試作と特性
有机金属化学气相法p-n结碲化锌发光器件的原型制作及特性
- 批准号:
06650368 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
テルル化亜鉛ホモエピタキシャル膜の有機金属化学気相法による成長と成長機構の解明
有机金属化学气相沉积碲化锌同质外延薄膜的生长及生长机理的阐明
- 批准号:
01604021 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
テルル化亜鉛ホキエピタキシヤル膜の有機金属化学気相法による成長と成長機構の解明
有机金属化学气相沉积碲化锌箔外延膜的生长及其生长机理的阐明
- 批准号:
63604021 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
テルル化亜鉛ホモエピタキシャル膜の有機金属化学気相法による成長と成長機構の解明
有机金属化学气相沉积碲化锌同质外延薄膜的生长及生长机理的阐明
- 批准号:
62604015 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
有機金属化学気相法によるテルル化亜鉛の薄膜成長における紫外光照射効果
紫外光照射对有机金属化学气相法生长碲化锌薄膜的影响
- 批准号:
62750264 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)














{{item.name}}会员




