Two-dimensional characterization of an initial stage of the degradation of metal/semiconductor interfaces by using scanning internal photoemission microscopy with near-ultra-violet light

使用近紫外光扫描内部光电显微镜对金属/半导体界面退化的初始阶段进行二维表征

基本信息

批准号：
18K04228
负责人：
Shiojima Kenji
金额：
$ 2.83万
依托单位：
University of Fukui
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（97）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Combined effect of 13C isotope and vacancies on the phonon properties in AB stacked bilayer graphene

DOI：
10.1016/j.carbon.2020.06.059
发表时间：
2020-10-30
期刊：
CARBON
影响因子：
10.9
作者：
Anindya, Khalid N.;Islam, Md. Sherajul;Park, Jeongwon
通讯作者：
Park, Jeongwon

Vacancy-induced thermal transport in two-dimensional silicon carbide: a reverse non-equilibrium molecular dynamics study

DOI：
10.1039/d0cp00990c
发表时间：
2020-06-28
期刊：
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS
影响因子：
3.3
作者：
Islam, A. S. M. Jannatul;Islam, Md Sherajul;Hashimoto, Akihiro
通讯作者：
Hashimoto, Akihiro

Tunable electronic properties in stanene and two dimensional silicon-carbide heterobilayer: A first principles investigation

DOI：
10.1063/1.5066029
发表时间：
2019-02-01
期刊：
AIP ADVANCES
影响因子：
1.6
作者：
Ferdous, Naim;Islam, Md. Sherajul;Hashimoto, Akihiro
通讯作者：
Hashimoto, Akihiro

Molecular dynamics study of thermal transport in single-layer silicon carbide nanoribbons

DOI：
10.1063/1.5131296
发表时间：
2020-01-01
期刊：
AIP ADVANCES
影响因子：
1.6
作者：
Islam, Md Sherajul;Islam, A. S. M. Jannatul;Hashimoto, Akihiro
通讯作者：
Hashimoto, Akihiro

Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage

在施加电压下扫描内部光电显微镜测量 n-GaN 肖特基接触

DOI：
10.7567/1347-4065/ab0f1a
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Shiojima Kenji;Maeda Masataka;Mishima Tomoyoshi
通讯作者：
Mishima Tomoyoshi

DOI：
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Shiojima Kenji其他文献

Mapping of n-GaN Schottky Contacts With Wavy Surface Morphology Using Scanning Internal Photoemission Microscopy

使用扫描内部光电发射显微镜绘制具有波状表面形态的 n-GaN 肖特基接触

DOI：
10.1002/pssb.201700480
发表时间：
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期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
Shiojima Kenji;Hashizume Takanori;Horikiri Fumimasa;Tanaka Takeshi;Mishma Tomoyoshi
通讯作者：
Mishma Tomoyoshi

Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts

Au/p-金刚石肖特基接触的位移电流

DOI：
10.1016/j.mssp.2016.12.012
发表时间：
2017
期刊：
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子：
4.1
作者：
Aoki Toshichika;Teraji Tokuyuki;Koide Yasuo;Shiojima Kenji
通讯作者：
Shiojima Kenji

Snナノドットを利用した結晶核誘起固相成長

使用 Sn 纳米点进行核诱导固相生长

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shiojima Kenji;Matsuda Ryo;Horikiri Fumimasa;Narita Yoshinobu;Fukuhara Noboru;Mishima Tomoyoshi;柴林志＊，陳新開;志村洋介
通讯作者：
志村洋介

Ag形ゼオライトのAgクラスター崩壊過程におけるその場PL・XAFS測定

Ag型沸石Ag团簇塌陷过程中的原位PL/XAFS测量

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Murase Shingo;Mishima Tomoyoshi;Nakamura Tohru;Shiojima Kenji;山内一真,鈴木裕史,米谷陸人,宮永崇史
通讯作者：
山内一真,鈴木裕史,米谷陸人,宮永崇史

Type-IIパラメトリック下方変換を用いた偏光量子エンタングルメント源の高効率な生成

使用 II 型参量下转换高效生成偏振量子纠缠源

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shiojima Kenji;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;A. Sato and S. Ishii;宮本洋子;島田　能孝
通讯作者：
島田　能孝

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DOI：
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2015
资助金额：
$ 2.83万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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