Two-dimensional characterization of an initial stage of the degradation of metal/semiconductor interfaces by using scanning internal photoemission microscopy with near-ultra-violet light
Two-dimensional characterization of an initial stage of the degradation of metal/semiconductor interfaces by using scanning internal photoemission microscopy with near-ultra-violet light
使用近紫外光扫描内部光电显微镜对金属/半导体界面退化的初始阶段进行二维表征
批准号：
18K04228
负责人：
Shiojima Kenji
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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DOI：
10.1016/j.cap.2020.02.006
发表时间：
2020-04-01
期刊：
CURRENT APPLIED PHYSICS
影响因子：
2.4
作者：
[Anindya, Khalid N., Islam, Md Sherajul, Hashimoto, Akihiro]
通讯作者：
Hashimoto, Akihiro
Orientational Control of Initial Si Nuclei Growth on Epitaxial Graphene Substrate using AlN Multi-functional Intermediate Layer
使用AlN多功能中间层控制外延石墨烯衬底上初始硅核生长的取向
使用AlN多功能中间层控制外延石墨烯衬底上初始硅核生长的取向
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Terai, D. Ishimaru, and A. Hashimoto]
通讯作者：
and A. Hashimoto
極薄AlN中間層を用いたエピタキシャルグラフェン上Si薄膜成長
使用超薄 AlN 中间层在外延石墨烯上生长 Si 薄膜
使用超薄 AlN 中间层在外延石墨烯上生长 Si 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[寺井汰至, 石丸大樹, 鎌田裕太, 竹内智哉, 橋本明弘]
通讯作者：
橋本明弘
界面顕微光応答法による表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の評価
使用界面微光响应方法评估不同表面处理的 Au/Ni/n-GaN 肖特基电极
使用界面微光响应方法评估不同表面处理的 Au/Ni/n-GaN 肖特基电极
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[塩島 謙次, 田中 亮, 高島 信也, 上野 勝典, 江戸 雅晴]
通讯作者：
江戸 雅晴
界面顕微光応答法による2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の二次元評価
使用界面微光响应方法二维评估两步光子上转换太阳能电池
使用界面微光响应方法二维评估两步光子上转换太阳能电池
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[平野智也, 朝日重雄, 喜多隆, 塩島謙次]
通讯作者：
塩島謙次
共 88 条
Two-dimensional characterization of degradation mechanism in metal/wide-bandgap semiconductor contacts by scanning internal photoemission microscopy
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批准号：15K05981
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2015
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负责人：Shiojima Kenji
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依托单位：