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Two-dimensional characterization of degradation mechanism in metal/wide-bandgap semiconductor contacts by scanning internal photoemission microscopy
通过扫描内部光电显微镜对金属/宽带隙半导体接触中的退化机制进行二维表征
基本信息
- 批准号：15K05981
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価
使用界面微光响应方法二维评估 Ni/n-GaN 界面反应
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：纐纈 悠貴;塩島 謙次
- 通讯作者：塩島 謙次
界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
使用界面显微光响应方法对金属/半导体和半导体/半导体界面进行二维评估
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Rumiko Yamaguchi;Koichiro Goto;Shintaro Sakurai;Likun Xiong and Takao Tomono;塩島 謙次
- 通讯作者：塩島 謙次
Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers
开发用于 3C-SiC 层顶面和后表面测绘的双焦点扫描内部光电显微镜
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Shiojima;N. Ichikawa;and M. Kato
- 通讯作者：and M. Kato
RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
通过射频感应加热在稍微倾斜的 Si 表面 SiC(0001) 上形成外延石墨烯的温度分布依赖性
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：和田 拓也;道幸 雄真;今井 宏友;橋本 明弘
- 通讯作者：橋本 明弘
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Shiojima Kenji其他文献
Mapping of photo-electrochemical etched Ni/GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy?comparison between n- and p-type GaN samples
使用扫描内部光电子显微镜绘制光电化学蚀刻的 Ni/GaN 肖特基接触图？n 型和 p 型 GaN 样品之间的比较
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10.35848/1347-4065/abdf21 - 发表时间：
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- 影响因子：1.5
- 作者：
Matsuda Ryo;Horikiri Fumimasa;Narita Yoshinobu;Yoshida Takehiro;Fukuhara Noboru;Mishima Tomoyoshi;Shiojima Kenji - 通讯作者：
Shiojima Kenji
Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts
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- DOI：
10.1016/j.mssp.2016.12.012 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
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Shiojima Kenji
Snナノドットを利用した結晶核誘起固相成長
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- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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志村洋介
Ag形ゼオライトのAgクラスター崩壊過程におけるその場PL・XAFS測定
Ag型沸石Ag团簇塌陷过程中的原位PL/XAFS测量
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Murase Shingo;Mishima Tomoyoshi;Nakamura Tohru;Shiojima Kenji;山内 一真,鈴木裕史,米谷陸人,宮永崇史 - 通讯作者：
山内 一真,鈴木裕史,米谷陸人,宮永崇史
Type-IIパラメトリック下方変換を用いた偏光量子エンタングルメント源の高効率な生成
使用 II 型参量下转换高效生成偏振量子纠缠源
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shiojima Kenji;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;A. Sato and S. Ishii;宮本洋子;島田 能孝 - 通讯作者：
島田 能孝
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Two-dimensional characterization of an initial stage of the degradation of metal/semiconductor interfaces by using scanning internal photoemission microscopy with near-ultra-violet light
使用近紫外光扫描内部光电显微镜对金属/半导体界面退化的初始阶段进行二维表征
- 批准号：
18K04228 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
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- 批准号：
23H01473 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of an Ultra-Thin Diamond Clinical Dosimeter for Next-Generation Particle Therapy Fields
开发用于下一代粒子治疗领域的超薄金刚石临床剂量计
- 批准号：
22H03013 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Growth of low dislocation density indium oxide single crystal layer to elucidate intrinsic electron mobility
低位错密度氧化铟单晶层的生长以阐明本征电子迁移率
- 批准号：
22K04947 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
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異方的圧縮応力の印加による準安定酸化物の高温での反応速度論的安定性の制御
通过施加各向异性压应力控制高温下亚稳态氧化物的动力学稳定性
- 批准号：
22K14286 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Analysis of ohmic metal/semiconductor interfaces by low-temperature SIPM
利用低温 SIPM 分析欧姆金属/半导体界面
- 批准号：
21K04135 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)