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Two-dimensional characterization of degradation mechanism in metal/wide-bandgap semiconductor contacts by scanning internal photoemission microscopy
通过扫描内部光电显微镜对金属/宽带隙半导体接触中的退化机制进行二维表征
基本信息
- 批准号：15K05981
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers
开发用于 3C-SiC 层顶面和后表面测绘的双焦点扫描内部光电显微镜
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Shiojima;N. Ichikawa;and M. Kato
- 通讯作者：and M. Kato
界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
使用界面显微光响应方法对金属/半导体和半导体/半导体界面进行二维评估
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Rumiko Yamaguchi;Koichiro Goto;Shintaro Sakurai;Likun Xiong and Takao Tomono;塩島 謙次
- 通讯作者：塩島 謙次
界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価
使用界面微光响应方法二维评估 Ni/n-GaN 界面反应
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：纐纈 悠貴;塩島 謙次
- 通讯作者：塩島 謙次
RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
通过射频感应加热在稍微倾斜的 Si 表面 SiC(0001) 上形成外延石墨烯的温度分布依赖性
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：和田 拓也;道幸 雄真;今井 宏友;橋本 明弘
- 通讯作者：橋本 明弘
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Shiojima Kenji其他文献
Mapping of photo-electrochemical etched Ni/GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy?comparison between n- and p-type GaN samples
使用扫描内部光电子显微镜绘制光电化学蚀刻的 Ni/GaN 肖特基接触图？n 型和 p 型 GaN 样品之间的比较
- DOI：
10.35848/1347-4065/abdf21 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Matsuda Ryo;Horikiri Fumimasa;Narita Yoshinobu;Yoshida Takehiro;Fukuhara Noboru;Mishima Tomoyoshi;Shiojima Kenji - 通讯作者：
Shiojima Kenji
Snナノドットを利用した結晶核誘起固相成長
使用 Sn 纳米点进行核诱导固相生长
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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志村洋介
Ag形ゼオライトのAgクラスター崩壊過程におけるその場PL・XAFS測定
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- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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山内 一真,鈴木裕史,米谷陸人,宮永崇史
Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts
Au/p-金刚石肖特基接触的位移电流
- DOI：
10.1016/j.mssp.2016.12.012 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Aoki Toshichika;Teraji Tokuyuki;Koide Yasuo;Shiojima Kenji - 通讯作者：
Shiojima Kenji
IPMC に基づいたソフトセンサの精度向上に向けて
基于IPMC提高软测量精度
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shiojima Kenji;Matsuda Ryo;Horikiri Fumimasa;Narita Yoshinobu;Fukuhara Noboru;Mishima Tomoyoshi;柴 林志＊，陳 新開 - 通讯作者：
柴 林志＊，陳 新開
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- DOI：
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- 作者：
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使用近紫外光扫描内部光电显微镜对金属/半导体界面退化的初始阶段进行二维表征
- 批准号：
18K04228 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
DP240102230 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Discovery Projects
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针，带有基于有机半导体的多模态传感器，用于闭环神经调节
- 批准号：
2336525 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Standard Grant
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SBIR 第二阶段：先进半导体封装的创新玻璃检测
- 批准号：
2335175 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究：利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
- 批准号：
2342747 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
- 批准号：
10099437 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
EU-Funded
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
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- 批准号：
2327229 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段：用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
- 批准号：
2335588 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎：佛罗里达州中部半导体创新引擎
- 批准号：
2315320 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI：防止半导体材料破裂的机器学习框架
- 批准号：
2347035 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Standard Grant
CAREER: Semiconductor on Nitride PhoXonic Integrated Circuit (SONIC) Platform for Chip-Scale RF and Optical Signal Processing
职业：用于芯片级射频和光信号处理的氮化物 PhoXonic 集成电路 (SONIC) 平台上的半导体
- 批准号：
2340405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Continuing Grant