Two-dimensional characterization of degradation mechanism in metal/wide-bandgap semiconductor contacts by scanning internal photoemission microscopy
Two-dimensional characterization of degradation mechanism in metal/wide-bandgap semiconductor contacts by scanning internal photoemission microscopy
通过扫描内部光电显微镜对金属/宽带隙半导体接触中的退化机制进行二维表征
批准号：
15K05981
负责人：
Shiojima Kenji
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers
开发用于 3C-SiC 层顶面和后表面测绘的双焦点扫描内部光电显微镜
开发用于 3C-SiC 层顶面和后表面测绘的双焦点扫描内部光电显微镜
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Shiojima, N. Ichikawa, and M. Kato]
通讯作者：
and M. Kato
界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
使用界面显微光响应方法对金属/半导体和半导体/半导体界面进行二维评估
使用界面显微光响应方法对金属/半导体和半导体/半导体界面进行二维评估
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Rumiko Yamaguchi, Koichiro Goto, Shintaro Sakurai, Likun Xiong and Takao Tomono, 塩島 謙次]
通讯作者：
塩島 謙次
界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価
使用界面微光响应方法二维评估 Ni/n-GaN 界面反应
使用界面微光响应方法二维评估 Ni/n-GaN 界面反应
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[纐纈 悠貴, 塩島 謙次]
通讯作者：
塩島 謙次
顕微光応答法による金属/半導体界面の２次元評価
使用显微光响应方法对金属/半导体界面进行二维评估
使用显微光响应方法对金属/半导体界面进行二维评估
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小舘輝, 山口留美子, 塩島謙次]
通讯作者：
塩島謙次
RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性
通过射频感应加热在稍微倾斜的 Si 表面 SiC(0001) 上形成外延石墨烯的温度分布依赖性
通过射频感应加热在稍微倾斜的 Si 表面 SiC(0001) 上形成外延石墨烯的温度分布依赖性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田 拓也, 道幸 雄真, 今井 宏友, 橋本 明弘]
通讯作者：
橋本 明弘
共 88 条
Two-dimensional characterization of an initial stage of the degradation of metal/semiconductor interfaces by using scanning internal photoemission microscopy with near-ultra-violet light
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批准号：18K04228
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2018
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负责人：Shiojima Kenji
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依托单位：
海外基金