Heavy group III, IV, and V elements triangular lattice atomic layers on semiconductor surfaces - a new kind of 2D Dirac materials

半导体表面重III、IV、V族元素三角晶格原子层——一种新型二维狄拉克材料

基本信息

  • 批准号：
    18K04941
  • 负责人：
    Visikovskiy Anton
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Coexistence of two types of spin splitting originating from different symmetries
源自不同对称性的两种自旋分裂的共存
  • DOI：
    10.1103/physrevlett.122.126403
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Physical Review Letters
  • 影响因子：
    8.6
  • 作者：
    Koichiro Yaji;Anton Visikovskiy;Takushi Iimori;Kenta Kuroda;Singo Hayashi;Takashi Kajiwara;Satoru Tanaka;Fumio Komori and Shik Shin
  • 通讯作者：
    Fumio Komori and Shik Shin
Stability and electronic structure of novel triangular lattice atomic layers of In, Tl, Pb, and Bi on SiC(0001)
SiC(0001)上In、Tl、Pb、Bi新型三角晶格原子层的稳定性和电子结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Visikovskiy Anton;Kajiwara Takashi;Tanaka Satoru
  • 通讯作者：
    Tanaka Satoru
Computational study of heavy group IV elements (Ge, Sn, Pb) triangular lattice atomic layers on SiC(0001) surface
SiC(0001)表面重IV族元素(Ge、Sn、Pb)三角晶格原子层的计算研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    https://arxiv.org/abs/1809.00829
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Visikovskiy Anton;Hayashi Shingo;Kajiwara Takashi;Komori Fumio;Yaji Koichiro;Tanaka Satoru
  • 通讯作者：
    Tanaka Satoru
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Visikovskiy Anton其他文献

SiC表面及びGraphene/SiC界面におけるSn原子層の形成
SiC表面和石墨烯/SiC界面上Sn原子层的形成
  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    林 真吾;梶原 隆司;Visikovskiy Anton;飯盛 拓嗣;小森 文夫;田中 悟
  • 通讯作者：
    田中 悟
SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態
SiC衬底上小于1度扭曲双层石墨烯的电子态
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    飯盛拓嗣;今村均;宮町俊生;中辻寛;北村未歩;堀場弘司;間瀬一彦;Visikovskiy Anton;田中悟;小森文夫
  • 通讯作者：
    小森文夫
Formation of graphene nanoribbons on the macrofacets of vicinal 6H-SiC(0001) surfaces
邻位 6H-SiC(0001) 表面宏观上石墨烯纳米带的形成
  • DOI：
    10.1103/physrevmaterials.6.124003
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Physical Review Materials
  • 影响因子：
    3.4
  • 作者：
    Fukuma Kohei;Visikovskiy Anton;Iimori Takushi;Miyamachi Toshio;Komori Fumio;Tanaka Satoru
  • 通讯作者：
    Tanaka Satoru
SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性（2）
SiC晶面上石墨烯横向超晶格的形成和物理性质（2）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    福間洸平;林真吾;梶原隆司;Visikovskiy Anton;田中悟;飯盛拓嗣;家永紘一郎;矢治光一郎;中辻寛;小森文夫;田中宏和;神田晶申;Cuong Nguyen Thanh;岡田晋
  • 通讯作者：
    岡田晋
大面積数度ツイストグラフェンの電子状態
大面积几度扭曲石墨烯的电子态
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    飯盛拓嗣;今村均;宮町俊生;服部琢磨;中辻寛;北村未歩;堀場弘司;間瀬一彦;Visikovskiy Anton;田中悟;小森文夫
  • 通讯作者：
    小森文夫

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