Development of Novel Electron Emitter for Photon Enhanced Thermionic Emission Using Thin Film Semiconductor Material
Development of Novel Electron Emitter for Photon Enhanced Thermionic Emission Using Thin Film Semiconductor Material
使用薄膜半导体材料开发用于光子增强热电子发射的新型电子发射器
批准号：
18K04934
负责人：
Akihisa Ogino
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H-SiC substrates
6H-SiC 衬底上生长的 n 型 AlGaN 薄膜阴极的热电子发射和转换特性
6H-SiC 衬底上生长的 n 型 AlGaN 薄膜阴极的热电子发射和转换特性
DOI：
10.7567/1347-4065/ab5be4
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Kimura Shigeya, Yoshida Hisashi, Uchida Shota, Ogino Akihisa]
通讯作者：
Ogino Akihisa
窒化物半導体の熱電子放出特性におけるアルカリ金属吸着の影響
碱金属吸附对氮化物半导体热电子发射性能的影响
碱金属吸附对氮化物半导体热电子发射性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[内田 翔太, 安原 弘一郎, 木村 重哉, 吉田 学史, 荻野 明久]
通讯作者：
荻野 明久
CVD法によるMoS2の形態制御とプラズマ処理による硫黄欠陥密度の最適化
通过CVD方法控制MoS2的形貌并通过等离子体处理优化硫缺陷密度
通过CVD方法控制MoS2的形貌并通过等离子体处理优化硫缺陷密度
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浅田 柊哉, 荻野 明久]
通讯作者：
荻野 明久
マイクロ波励起プラズマを用いたMoS2薄膜の硫黄欠陥形成におけるイオン遮蔽の影響
微波激发等离子体离子屏蔽对 MoS2 薄膜中硫缺陷形成的影响
微波激发等离子体离子屏蔽对 MoS2 薄膜中硫缺陷形成的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[都築 聖親, 荻野 明久]
通讯作者：
荻野 明久
Microwave Plasma Treatment of CVD-Synthesized Single- and Few-Layer MoS2
CVD 合成的单层和多层 MoS2 的微波等离子体处理
CVD 合成的单层和多层 MoS2 的微波等离子体处理
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Akihisa Ogino, Masahiro Sugiyama]
通讯作者：
Masahiro Sugiyama
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