Development of Novel Electron Emitter for Photon Enhanced Thermionic Emission Using Thin Film Semiconductor Material

使用薄膜半导体材料开发用于光子增强热电子发射的新型电子发射器

基本信息

  • 批准号:
    18K04934
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H-SiC substrates
6H-SiC 衬底上生长的 n 型 AlGaN 薄膜阴极的热电子发射和转换特性
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab5be4
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kimura Shigeya;Yoshida Hisashi;Uchida Shota;Ogino Akihisa
  • 通讯作者:
    Ogino Akihisa
窒化物半導体の熱電子放出特性におけるアルカリ金属吸着の影響
碱金属吸附对氮化物半导体热电子发射性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    内田 翔太;安原 弘一郎;木村 重哉;吉田 学史; 荻野 明久
  • 通讯作者:
    荻野 明久
CVD法によるMoS2の形態制御とプラズマ処理による硫黄欠陥密度の最適化
通过CVD方法控制MoS2的形貌并通过等离子体处理优化硫缺陷密度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浅田 柊哉;荻野 明久
  • 通讯作者:
    荻野 明久
マイクロ波励起プラズマを用いたMoS2薄膜の硫黄欠陥形成におけるイオン遮蔽の影響
微波激发等离子体离子屏蔽对 MoS2 薄膜中硫缺陷形成的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    都築 聖親;荻野 明久
  • 通讯作者:
    荻野 明久
Microwave Plasma Treatment of CVD-Synthesized Single- and Few-Layer MoS2
CVD 合成的单层和多层 MoS2 的微波等离子体处理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akihisa Ogino;Masahiro Sugiyama
  • 通讯作者:
    Masahiro Sugiyama
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  • 通讯作者:
    上田圭祐,宮崎敏昌,大石潔
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
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    作道 章一,山城 梨沙,永津 雅章
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  • 影响因子:
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長尺大面積平行平板電極型誘電体バリア放電を用いたフッ素樹脂の表面処理
使用长、大面积平行板电极型介质阻挡放电对氟树脂进行表面处理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaaki Nagatsu;Kazuya Sugiyama;Iuliana Motrescu;Mihai Alexandru Ciolan;Akihisa Ogino; Naohisa Kawamur;Sakai Mikio;山本 将,森松 大亮,下村 勝,荻野 明久,永津 雅章,岩田 太;杉山 和也,荻野 明久,永津 雅章
  • 通讯作者:
    杉山 和也,荻野 明久,永津 雅章

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