二硫化モリブデンを用いた超高感度ピエゾ抵抗型のカンチレバーバイオセンサの開発

二硫化钼超灵敏压阻悬臂生物传感器的研制

• 批准号: 18J12689
• 负责人: 朱 敏杰
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-25 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18J12689/
• 关键词: バナジウムドープ二硫化モリブデン; 圧力センサ; トランジスタ; ピエゾ抵抗素子; 二硫化モリブデン; バナジウムドーピング; ひずみセンサ

本年度は昨年度に成長した優れた電特性を持つバナジウム(V)ドープした二硫化モリブデン(MoS2)薄膜を用いて、高感度なピエゾ抵抗型の圧力センサを開発している。圧力センサの製作プロセスを確立した。まず、シリコンの上に窒化物を感圧膜として化学気相成長(CVD)により成膜した。MoS2薄膜はCVD法に成膜し、微細加工でピエゾ抵抗素子を作成した。リフトオフで金属膜を成膜してから、反応性イオンエッチングにより、シリコンをエッチングした。世界初のVドープしたMoS2薄膜を用いた圧力センサを製作した。VドープしたMoS2薄膜の電気特性をさらに知るために、VドープしたMoS2薄膜に基づく、トランジスタの製作プロセスを確立した。Vのドーピング量により、各種のトランジスタを実際に制作した。

This year's improvement compared to last year's is due to the excellent electrical properties of the material (V) disulfide disulfide. The high-sensitivity and high-sensitivity anti-pressure resistant anti-pressure technology used in MoS2 thin films. The production of "pressure force センサの" has been established.まず, シリコンの上に sulfide, pressure-sensitive film and として chemical phase growth (CVD) and により film forming. The MoS2 thin film is formed by CVD method and is produced by micro-processing using resistive elements.リフトオフでmetal film forming film, reactive film, and シリコンをエッチングした. The world's first V-conductor MoS2 film was produced using a pressure-sensitive film. The electrical properties of V-MoS2 film are as follows:したMoS2 film にbased づく, トランジスタのproduced プロセスをestablished した. Vのドーピングquantityにより, variousのトランジスタを実界にproductionした.

项目成果

Piezoresistive strain sensor based on monolayer molybdenum disulfide continuous film deposited by chemical vapor deposition

基于化学气相沉积单层二硫化钼连续薄膜的压阻应变传感器

• DOI: 10.1088/1361-6439/ab0726
• 发表时间: 2019
• 期刊: Journal of Micromechanics and Microengineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: Zhu Minjie;Sakamoto Kei;Li Jinhua;Inomata Naoki;Toda Masaya;Ono Takahito
• 通讯作者: Ono Takahito

Vanadium-doped molybdenum disulfide film-based strain sensors with high gauge factor

• DOI: 10.7567/1882-0786/aaf5c4
• 发表时间: 2019-01
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Minjie Zhu;Jinhua Li;N. Inomata;M. Toda;T. Ono

High Gauge Factor Strain Sensors Based on Vanadium Doped Molybdenum Disulfide 2D Films

基于掺钒二硫化钼二维薄膜的高应变传感器

• 发表时间: 2019
• 期刊: Proceedings of 2019 IEEE Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)
• 作者: Zhu Minjie;Inomata Naoki;Toda Masaya;Ono Takahito
• 通讯作者: Ono Takahito