Development of the orientation control technique of the ZnTe epilayer on the sapphire substrate with facetted structure
Development of the orientation control technique of the ZnTe epilayer on the sapphire substrate with facetted structure
刻面结构蓝宝石衬底ZnTe外延层取向控制技术研究进展
批准号：
18K13792
负责人：
Nakasu Taizo
金额：
$1.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
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サファイアS面・r面ナノファセット基板上ZnTe薄膜成長
蓝宝石 S 面和 R 面纳米面基板上的 ZnTe 薄膜生长
蓝宝石 S 面和 R 面纳米面基板上的 ZnTe 薄膜生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中須 大蔵, 小林 正和, 朝日 聰明]
通讯作者：
朝日 聰明
Epitaxial Relationship Analysis of MBE grown ZnTe/sapphire Structure
MBE 生长 ZnTe/蓝宝石结构的外延关系分析
MBE 生长 ZnTe/蓝宝石结构的外延关系分析
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nakasu, M. Kobayashi, and T. Asahi]
通讯作者：
and T. Asahi
分子線エピタキシー法を用いた各種面方位サファイア基板へのZnTe結晶成長
使用分子束外延在不同面取向的蓝宝石衬底上生长 ZnTe 晶体
使用分子束外延在不同面取向的蓝宝石衬底上生长 ZnTe 晶体
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中須大蔵, 小林正和]
通讯作者：
小林正和
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