Development of the orientation control technique of the ZnTe epilayer on the sapphire substrate with facetted structure

刻面结构蓝宝石衬底ZnTe外延层取向控制技术研究进展

基本信息

  • 批准号:
    18K13792
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
サファイアS面・r面ナノファセット基板上ZnTe薄膜成長
蓝宝石 S 面和 R 面纳米面基板上的 ZnTe 薄膜生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中須 大蔵;小林 正和;朝日 聰明
  • 通讯作者:
    朝日 聰明
Epitaxial Relationship Analysis of MBE grown ZnTe/sapphire Structure
MBE 生长 ZnTe/蓝宝石结构的外延关系分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Nakasu;M. Kobayashi;and T. Asahi
  • 通讯作者:
    and T. Asahi
分子線エピタキシー法を用いた各種面方位サファイア基板へのZnTe結晶成長
使用分子束外延在不同面取向的蓝宝石衬底上生长 ZnTe 晶体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中須大蔵;小林正和
  • 通讯作者:
    小林正和
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