Development of the orientation control technique of the ZnTe epilayer on the sapphire substrate with facetted structure
刻面结构蓝宝石衬底ZnTe外延层取向控制技术研究进展
基本信息
- 批准号:18K13792
- 负责人:
- 金额:$ 1.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
サファイアS面・r面ナノファセット基板上ZnTe薄膜成長
蓝宝石 S 面和 R 面纳米面基板上的 ZnTe 薄膜生长
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中須 大蔵;小林 正和;朝日 聰明
- 通讯作者:朝日 聰明
Epitaxial Relationship Analysis of MBE grown ZnTe/sapphire Structure
MBE 生长 ZnTe/蓝宝石结构的外延关系分析
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Nakasu;M. Kobayashi;and T. Asahi
- 通讯作者:and T. Asahi
分子線エピタキシー法を用いた各種面方位サファイア基板へのZnTe結晶成長
使用分子束外延在不同面取向的蓝宝石衬底上生长 ZnTe 晶体
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中須大蔵;小林正和
- 通讯作者:小林正和
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