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High-frequency and low power-consumption GaN monolithic complementary power integrated circuits
高频低功耗GaN单片互补功率集成电路
基本信息
- 批准号：18K14141
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Reducing intrinsic energy dissipation in diamond-on-diamond mechanical resonators toward one million quality factor
将金刚石对金刚石机械谐振器的固有能量耗散降低至 100 万品质因数
- DOI：10.1103/physrevmaterials.2.090601
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：3.4
- 作者：Wu Haihua;Sang Liwen;Li Yumeng;Teraji Tokuyuki;Li Tiefu;Imura Masataka;You Jianqiang;Koide Yasuo;Toda Masaya;Liao Meiyong
- 通讯作者：Liao Meiyong
Interface trap characterization of Al2O3/GaN vertical-type MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments
表面处理 GaN 衬底上 Al2O3/GaN 垂直型 MOS 电容器的界面陷阱表征
- DOI：10.1016/j.jallcom.2018.07.150
- 发表时间：2018-10-30
- 期刊：
- 影响因子：6.2
- 作者：Ren, Bing;Sumiya, Masatomo;Sang, Liwen
- 通讯作者：Sang, Liwen
Electrical readout/characterization of single crystal diamond (SCD) cantilever resonators
- DOI：10.1016/j.diamond.2020.107711
- 发表时间：2020-03-01
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：Wu, Haihua;Zhang, Zilong;Liao, Meiyong
- 通讯作者：Liao, Meiyong
Coupling of magneto-strictive FeGa film with single-crystal diamond MEMS resonator for high-reliability magnetic sensing at high temperatures
- DOI：10.1080/21663831.2020.1734680
- 发表时间：2020-05-03
- 期刊：
- 影响因子：8.3
- 作者：Zhang, Zilong;Wu, Yuanzhao;Liao, Meiyong
- 通讯作者：Liao, Meiyong
High-quality SiN x /p-GaN metal-insulator-semiconductor interface with low-density trap states
具有低密度陷阱态的高质量 SiN x /p-GaN 金属-绝缘体-半导体界面
- DOI：10.1088/1361-6463/aaf5ba
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ren Bing;Liao Meiyong;Sumiya Masatomo;Su Jin;Liu Xinke;Koide Yasuo;Sang Liwen
- 通讯作者：Sang Liwen
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