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Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors

Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors
氮极性InGaAs沟道高电子迁移率晶体管的研究
批准号:
16H04341
负责人:
Suemitsu Tetsuya
金额:
$10.65万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs
嵌入式 MIS 栅极 N 极 GaN HEMT 的阈值电压工程
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者: T. Matsuoka
N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE
通过优化 MOVPE 生长具有平坦界面的 N 极 GaN MIS-HEMT
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者: T. Matsuoka
Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs
减少 N 极 GaN MIS-HEMT 中的栅极漏电流
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者: T. Matsuoka
MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface
在小切边基板上 MOVPE 生长 N 极 GaN/AlGaN/GaN 异质结构以实现平坦界面
DOI: 10.1109/iciprm.2016.7528837
发表时间: 2016
期刊: 2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016
影响因子: --
作者: [K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者: T. Matsuoka
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    Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices
    • 批准号:
      19H02165
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $10.82万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Suemitsu Tetsuya
    • 依托单位:
    Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates
    • 批准号:
      15K13963
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.5万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      Suemitsu Tetsuya
    • 依托单位:
    海外基金