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Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors

Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors
氮极性InGaAs沟道高电子迁移率晶体管的研究
批准号：
16H04341
负责人：
Suemitsu Tetsuya
金额：
$10.65万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H04341/
关键词：
トランジスタ窒化物半導体マイクロ波・ミリ波高電子移動度トランジスタ窒素極性窒化物電子デバイス・機器先端機能デバイス結晶成長電界効果トランジスタ窒素極性デバイス設計・製造プロセスマイクロ・ナノデバイス半導体物性

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DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者： T. Matsuoka
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DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者： T. Matsuoka
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发表时间： 2017
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通讯作者： T. Matsuoka
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发表时间： 2018
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作者： [S. Diebold, S. Nakai, K. Nishio, J. Kim, K. Tsuruda, T. Mukai, M. Fujita, and T. Nagatsuma, 末光哲也]
通讯作者： 末光哲也
共 11 条
    Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices
    • 批准号：
      19H02165
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.82万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Suemitsu Tetsuya
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates
    • 批准号：
      15K13963
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Suemitsu Tetsuya
    • 依托单位：
      Tohoku University
    海外基金