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Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors
氮极性InGaAs沟道高电子迁移率晶体管的研究
基本信息
- 批准号：16H04341
- 负责人：
- 金额：$ 10.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs
嵌入式 MIS 栅极 N 极 GaN HEMT 的阈值电压工程
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Prasertsuk;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;T. Suemitsu;T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Matsuoka
N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE
通过优化 MOVPE 生长具有平坦界面的 N 极 GaN MIS-HEMT
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Prasertsuk;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;T. Suemitsu;T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Matsuoka
Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs
减少 N 极 GaN MIS-HEMT 中的栅极漏电流
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Prasertsuk;A. Miura;S. Tanaka;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;T. Suemitsu;T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Matsuoka
窒素極性GaN HEMT の現状と今後の展望
氮极性GaN HEMT的现状及未来展望
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Diebold;S. Nakai;K. Nishio;J. Kim;K. Tsuruda;T. Mukai;M. Fujita;and T. Nagatsuma;末光哲也
- 通讯作者：末光哲也
MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface
在小切边基板上 MOVPE 生长 N 极 GaN/AlGaN/GaN 异质结构以实现平坦界面
- DOI：10.1109/iciprm.2016.7528837
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Prasertsuk;S. Tanaka;T. Tanikawa;K. Shojiki;T. Kimura;A. Miura;R. Nonoda;F. Hemmi;S. Kuboya;R. Katayama;T. Suemitsu;T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Matsuoka
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Suemitsu Tetsuya其他文献
Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors
N 极 GaN/AlGaN 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的反向偏压退火效应
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- 影响因子：1.5
- 作者：
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Matsuoka Takashi
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极化感应电荷对极性 GaN 肖特基势垒高度的影响
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao;T. Suemitsu and I. Makabe - 通讯作者：
T. Suemitsu and I. Makabe
Effective Schottky barrier height model for Ga- and N-polar GaN by polarization-induced surface charges with finite depth
Ga 和 N 极性 GaN 的有效肖特基势垒高度模型，由有限深度的极化感应表面电荷组成
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao - 通讯作者：
Makabe Isao
Effective Schottky Barrier Height Model for N‐Polar and Ga‐Polar GaN by Polarization‐Induced Surface Charges with Finite Thickness
基于有限厚度极化感应表面电荷的 N 极和 Ga 极 GaN 的有效肖特基势垒高度模型
- DOI：
10.1002/pssb.201900528 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao - 通讯作者：
Makabe Isao
Terahertz-wave Nyquist wavelength division multiplexing communication utilizing integrated-optic spectrum synthesizer
利用集成光谱合成器的太赫兹波奈奎斯特波分复用通信
- DOI：
10.1117/12.2577087 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao;K. Takiguchi - 通讯作者：
K. Takiguchi
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Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices
功率器件用N极GaN MIS-HEMT的研究
- 批准号：
19H02165 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
15K13963 - 财政年份：2015
- 资助金额：
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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
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- 批准号：
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$ 10.65万 - 项目类别：
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- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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- 批准号：
24KJ0297 - 财政年份：2024
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
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- 批准号：
23K26572 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
24H00425 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
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- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
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稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
- 批准号：
24K00913 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)