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Fabrication of Si/InGaN hybrid solar cells

Si/InGaN混合太阳能电池的制造

基本信息

批准号：
24760032
负责人：
SANG Liwen
金额：
$ 2.08万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760032/
关键词：
薄膜 solar cell Si InGaN 太陽電池異種材料

项目摘要

P-Si/InGaN heterojunction structures are proposed to fabricate solar cells to achieve both the current match and overcome the difficulty of p-type doping in In-rich InGaN. This structure can extend the optical absorption to the full solar spectrum by adjusting the In composition in InGaN and/or doping in the p-Si. We have successfully deposit amorphous Si on p-type InGaN by PECVD deposition to fabricate heterojunctions. The heterojunction indicated very good characteristics, showing the p-n junction behavior. The photovoltaic properties are achieved. InGaN quantum dots structures are also successfully achieved to realize long-wavelength absorption.

提出了用p-Si/InGaN异质结结构制作太阳电池，既实现了电流匹配，又克服了富In InGaN中p型掺杂的困难。这种结构可以通过调整InGaN中的In组分和/或p-Si中的掺杂，将光吸收扩展到整个太阳光谱。我们用PECVD方法在p型InGaN衬底上成功地沉积了非晶态Si，制备了异质结。异质结表现出很好的特性，表现出p-n结行为。实现了光伏特性。还成功地实现了InGaN量子点结构的长波吸收。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

A comprehensive review of semiconductor ultraviolet photodetectors: from thin film to one-dimensional nanostructures.

DOI：
10.3390/s130810482
发表时间：
2013-08-13
期刊：
Sensors (Basel, Switzerland)
影响因子：
0
作者：
Sang L;Liao M;Sumiya M
通讯作者：
Sumiya M

III-Nitride semiconductors for high-efficiency energy conversion devices

用于高效能量转换器件的 III 族氮化物半导体

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
田中友貴;高田崇二郎;瀬波大土;立花明知;Liwen Sang
通讯作者：
Liwen Sang

Photoelectrical energy-conversion devices based on III-Nitride semiconductors

基于III族氮化物半导体的光电能量转换器件

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Manabu Ohtomo;Yoshihiro Matsumoto;Shiro Entani;Pavel V. Avramov;Hiroshi Naramoto;Kenta Amemiya and Seiji Sakai;Liwen Sang;瀬波大土，立花明知;大野誠吾,新宮正彦,黒澤裕之,森竹勇斗,日下寛太,中山和之,石原照也;Liwen Sang
通讯作者：
Liwen Sang

Fabrication of transparent conducting polymer/GaN Schottky junction for deep level defect evaluation under light irradiation