Fabrication of Si/InGaN hybrid solar cells

Si/InGaN混合太阳能电池的制造

基本信息

  • 批准号:
    24760032
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

P-Si/InGaN heterojunction structures are proposed to fabricate solar cells to achieve both the current match and overcome the difficulty of p-type doping in In-rich InGaN. This structure can extend the optical absorption to the full solar spectrum by adjusting the In composition in InGaN and/or doping in the p-Si. We have successfully deposit amorphous Si on p-type InGaN by PECVD deposition to fabricate heterojunctions. The heterojunction indicated very good characteristics, showing the p-n junction behavior. The photovoltaic properties are achieved. InGaN quantum dots structures are also successfully achieved to realize long-wavelength absorption.
提出了P-SI/INGAN杂结结构来制造太阳能电池,以达到当前匹配并克服富裕INGAN中P型掺杂的难度。这种结构可以通过调节INGAN中的IN组成和/或p-SI中的掺杂来扩展光吸收到完整的太阳光谱。我们通过PECVD沉积成功地将无定形SI沉积在P型INGAN上,以制造异质界。杂结表明非常好的特征,显示了P-N连接行为。实现了光伏特性。 INGAN量子点结构也已成功实现,以实现长波长的吸收。

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Photoelectrical energy-conversion devices based on III-Nitride semiconductors
基于III族氮化物半导体的光电能量转换器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Manabu Ohtomo;Yoshihiro Matsumoto;Shiro Entani;Pavel V. Avramov;Hiroshi Naramoto;Kenta Amemiya and Seiji Sakai;Liwen Sang;瀬波大土,立花明知;大野誠吾,新宮正彦,黒澤裕之,森竹勇斗,日下寛太,中山和之,石原照也;Liwen Sang
  • 通讯作者:
    Liwen Sang
III-Nitride semiconductors for high-efficiency energy conversion devices
用于高效能量转换器件的 III 族氮化物半导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 友貴;高田 崇二郎;瀬波 大土;立花 明知;Liwen Sang
  • 通讯作者:
    Liwen Sang
Fabrication of transparent conducting polymer/GaN Schottky junction for deep level defect evaluation under light irradiation
InGaN-based p-n junction solar cells
InGaN基p-n结太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shoichiro Nakao;Yasushi Hirose;Tomoteru Fukumura;and Tetsuya Hasegawa;Liwen Sang
  • 通讯作者:
    Liwen Sang
Integration of high-dielectric constant Ta2O5 oxides on diamond for power devices
  • DOI:
    10.1063/1.4770059
  • 发表时间:
    2012-12-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Cheng, Shaoheng;Sang, Liwen;Koide, Yasuo
  • 通讯作者:
    Koide, Yasuo
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