Development of HfO2-based ferroelectric films for Piezo MEMS applications

开发用于压电 MEMS 应用的 HfO2 基铁电薄膜

基本信息

  • 批准号：
    18K19016
  • 负责人：
    Funakubo Hiroshi
  • 金额：
    $ 3.99万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-06-29 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Thickness- and orientationdependence of Curie temperature of ferroelectric epitaxial HfO2 based films
铁电外延 HfO2 基薄膜居里温度的厚度和取向依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Mimura;T. Shimizu;Y. Katsuya;O. Sakata;H. Funakubo
  • 通讯作者：
    H. Funakubo
Preparation and Characterization of Y, Zr-doped HfO2 Thin Film by PLD Method
PLD法制备Y、Zr掺杂HfO2薄膜并表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yu-ki Tashiro;Takanori Mimura;Takao Shimizu;and Hiroshi Funakubo
  • 通讯作者：
    and Hiroshi Funakubo
Thickness-dependent crystal structure and electric properties of epitaxial ferroelectric Y2O3-HfO2 films
  • DOI：
    10.1063/1.5040018
  • 发表时间：
    2018-09
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    T. Mimura;Takao Shimizu;H. Uchida;O. Sakata;H. Funakubo
  • 通讯作者：
    T. Mimura;Takao Shimizu;H. Uchida;O. Sakata;H. Funakubo
強誘電性薄膜の製造方法、強誘電性薄膜、及びその用途
铁电薄膜的制造方法、铁电薄膜及其用途
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Thickness-dependent crystal structure of epitaxial ferroelectric 0.07YO1.5-0.93HfO2 and HZO films
外延铁电 0.07YO1.5-0.93HfO2 和 HZO 薄膜的厚度依赖性晶体结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takanori Mimura;Takao Shimizu;and Hiroshi Funakubo
  • 通讯作者：
    and Hiroshi Funakubo
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Funakubo Hiroshi其他文献

Effect of film thickness on piezoelectric vibrator using hydrothermally synthesized epitaxial (K0.88Na0.12)NbO3 film
水热合成外延(K0.88Na0.12)NbO3薄膜的膜厚对压电振子的影响
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  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Tateyama Akinori;Ito Yoshiharu;Shiraishi Takahisa;Kurosawa Minoru;Ishikawa Mutsuo;Funakubo Hiroshi
  • 通讯作者：
    Funakubo Hiroshi
Domain structure transition in compressively strained (100)/(001) epitaxial tetragonal PZT film
压缩应变 (100)/(001) 外延四方 PZT 薄膜中的畴结构转变
  • DOI：
    10.1063/5.0031803
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Ichinose Daichi;Shimizu Takao;Sakata Osami;Yamada Tomoaki;Ehara Yoshitaka;Funakubo Hiroshi
  • 通讯作者：
    Funakubo Hiroshi
Direct Imaging of the Relaxation of Individual Ferroelectric Interfaces in a Tensile-Strained Film
拉伸应变薄膜中各个铁电界面弛豫的直接成像
  • DOI：
    10.1002/aelm.201600508
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Advanced Electronic Materials
  • 影响因子：
    6.2
  • 作者：
    Li Linglong;Cao Ye;Somnath Suhas;Yang Yaodong;Jesse Stephen;Ehara Yoshitaka;Funakubo Hiroshi;Chen Long-Qing;Kalinin Sergei V.;Vasudevan Rama K.
  • 通讯作者：
    Vasudevan Rama K.
高並列第一原理熱力学計算を用いた高速プロトン伝導の根源的理解
使用高度并行的第一原理热力学计算对快速质子传导有基本的了解
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Inoue Hidehisa;Shimizu Takao;Funakubo Hiroshi;笠松秀輔
  • 通讯作者：
    笠松秀輔
Local C-V mapping for ferroelectrics using scanning nonlinear dielectric microscopy
使用扫描非线性介电显微镜对铁电体进行局部 C-V 映射
  • DOI：
    10.1063/5.0029630
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Hiranaga Yoshiomi;Mimura Takanori;Shimizu Takao;Funakubo Hiroshi;Cho Yasuo
  • 通讯作者：
    Cho Yasuo

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  • 资助金额：
    $ 3.99万
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作者：{{ showInfoDetail.author }}

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