Development of HfO2-based ferroelectric films for Piezo MEMS applications
Development of HfO2-based ferroelectric films for Piezo MEMS applications
开发用于压电 MEMS 应用的 HfO2 基铁电薄膜
批准号：
18K19016
负责人：
Funakubo Hiroshi
金额：
$3.99万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
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Thickness- and orientationdependence of Curie temperature of ferroelectric epitaxial HfO2 based films
铁电外延 HfO2 基薄膜居里温度的厚度和取向依赖性
铁电外延 HfO2 基薄膜居里温度的厚度和取向依赖性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Mimura, T. Shimizu, Y. Katsuya, O. Sakata, H. Funakubo]
通讯作者：
H. Funakubo
Preparation and Characterization of Y, Zr-doped HfO2 Thin Film by PLD Method
PLD法制备Y、Zr掺杂HfO2薄膜并表征
PLD法制备Y、Zr掺杂HfO2薄膜并表征
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yu-ki Tashiro, Takanori Mimura, Takao Shimizu, and Hiroshi Funakubo]
通讯作者：
and Hiroshi Funakubo
DOI：
10.1063/1.5040018
发表时间：
2018-09
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[T. Mimura;Takao Shimizu;H. Uchida;O. Sakata;H. Funakubo]
通讯作者：
T. Mimura;Takao Shimizu;H. Uchida;O. Sakata;H. Funakubo
強誘電性薄膜の製造方法、強誘電性薄膜、及びその用途
铁电薄膜的制造方法、铁电薄膜及其用途
铁电薄膜的制造方法、铁电薄膜及其用途
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Thickness-dependent crystal structure of epitaxial ferroelectric 0.07YO1.5-0.93HfO2 and HZO films
外延铁电 0.07YO1.5-0.93HfO2 和 HZO 薄膜的厚度依赖性晶体结构
外延铁电 0.07YO1.5-0.93HfO2 和 HZO 薄膜的厚度依赖性晶体结构
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takanori Mimura, Takao Shimizu, and Hiroshi Funakubo]
通讯作者：
and Hiroshi Funakubo
共 20 条
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