Study on On-site Recovery of Integrated Circuit Failed by Gamma Ray Irradiation

伽马射线照射失效集成电路现场修复研究

基本信息

批准号：
18K19040
负责人：
Tanaka Shuji
金额：
$ 3.99万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K19040/
关键词：
γ線ダメージ集積回路マイクロヒータ MEMS 放射線センサ

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（1）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ガンマ線照射ダメージその場回復のためのメンブレン型ヒータ集積化LSI

用于伽马射线损伤现场恢复的膜式加热器集成LSI

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gong Tianjiao;鈴木裕輝夫;田中秀治
通讯作者：
田中秀治

DOI：
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Development of Piezoelectric Epitaxial Thin Film for High-Performance MEMS

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
Shinya Yoshida

GO-Finder: Registration-Free Wearable System for Assisting Users in Finding Lost Objects via Hand-Held Object Discovery

GO-Finder：免注册可穿戴系统，通过手持物体发现帮助用户寻找丢失的物体

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Chen Jianlin;Tsukamoto Takashiro;Tanaka Shuji;八木拓真，西保匠，川崎邦将，松木萌，佐藤洋一
通讯作者：
八木拓真，西保匠，川崎邦将，松木萌，佐藤洋一

圧電MEMSのための高性能圧電薄膜の開発

压电MEMS高性能压电薄膜的开发

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Qi Xuanmeng;Yoshida Shinya;Tanaka Shuji;吉田慎哉
通讯作者：
吉田慎哉

エピタキシャル圧電薄膜のSi基板上への成膜と高性能MEMSの創出

在硅衬底上沉积外延压电薄膜并创建高性能MEMS

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Qi Xuanmeng;Yoshida Shinya;Tanaka Shuji;吉田慎哉;吉田慎哉
通讯作者：
吉田慎哉

Silver nanoparticle enhanced luminescence of [Ru(phen)3]Cl2 for thermal imaging applications

银纳米粒子增强了 [Ru(phen)3]Cl2 的发光，用于热成像应用

DOI：
10.1016/j.sna.2021.113312
发表时间：
2021
期刊：
Sensors and Actuators: A, Physical
影响因子：
0
作者：
Pan Xiaoying;Hu Jun;Li Jialiang;Zhai Yufei;Li Song;Wang Min;Tsukamoto Takashiro;Tanaka Shuji
通讯作者：
Tanaka Shuji

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DOI：
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Temperature Compensation of Silicon MEMS Resonators by Multiple Doping

通过多重掺杂对硅 MEMS 谐振器进行温度补偿

批准号：
21K18666
财政年份：
2021
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
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压电薄膜执行器的稳定/可靠传感和精确控制

批准号：
18H01390
财政年份：
2018
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Readout Technology of MEMS Sensors Installed in High Temperature Environments

高温环境下安装的MEMS传感器的读出技术

批准号：
26600056
财政年份：
2014
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Deposition of Ideally-oriented PZT Monocrystalline Thin Film on Si Substrate and Feasibility Study of Its Application to MEMS

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批准号：
25286033
财政年份：
2013
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

超高周波帯域における集積回路基板近傍の磁界分布可視化法の開発

开发一种可视化超高频段集成电路板附近磁场分布的方法

批准号：
23K26120
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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批准号：
24H00307
财政年份：
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资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

多値情報処理技術が拓くデバイスを活かす配線主体の集積回路システム

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批准号：
23K20958
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

これならいける！革新的コンセプトに基づいたシート状有機集積回路の実現

你可以这样做！

批准号：
23K20954
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

微小真空管を用いた小規模集積回路の開発

使用微型真空管开发小型集成电路

批准号：
24KJ1364
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.99万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

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